Programa de Pós-Graduação de Mestrado e Doutorado em Engenharia Elétrica
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- DissertaçãoAprendizado por reforço acelerado por heurísticas aplicado ao domínio do futebol de robôs(2007) Martins, Murilo FernandesEsse trabalho apresenta um comparação entre algoritmos de Aprendizado por Reforço com e sem a utilização de heurísticas para aceleração do aprendizado em ambiente simulado e a transferência de conhecimento, através de heurísticas, para o ambiente real. O ambiente de Futebol de Robôs é utilizado como plataforma para os experimentos realizados, pois é um ambiente complexo, dinâmico e não-determinístico. As informações do ambiente foram abstraídas e o conjunto de estados foi definido por regiões, enquanto o conjunto de ações representa diferentes comportamentos de alto nível. Foram efetuados experimentos em ambiente real e simulado. Os testes em ambiente simulado mostraram que heurísticas aceleram o aprendizado significativamente. Para os teste em ambiente real, foi desenvolvido um sistema completo de um time de Futebol de Robôs e o conhecimento adquirido no aprendizado em simulação foi transferido através de heurísticas. Os resultados mostraram que algoritmos de Aprendizado por Reforço acelerados por heurísticas implicam em um melhor desempenho quando comparados com os algoritmos tradicionais de Aprendizado por Reforço
- Dissertação
- DissertaçãoEstudo da linearidade em transistores SOI de porta dupla com estrutura de canal gradual(2007) Doria, R. T.Neste trabalho é apresentado um estudo da não-linearidade introduzida por dispositivos de porta circundante (GAA), com e sem a presença da estrutura de canal gradual (GC). Esta estrutura é assim denominada por exibir dois perfis de dopagem no interior do canal, de maneira a preservar a dopagem natural da lâmina na região próxima ao dreno, com o intuito de minimizar o campo elétrico. A estrutura GAA, por sua vez, consiste em um transistor de porta dupla e, por isso, apresenta uma série de vantagens derivadas do maior controle das cargas na região do canal. Ao se unir ambas estruturas, percebe-se uma série de características que fazem do dispositivo resultante interessante para aplicações analógicas. Logo, uma série de simulações do processo de fabricação e do dispositivo foram executadas, sendo as primeiras com o intuito de garantir o perfil de dopantes condizente com a realidade e, as demais para a obtenção das características corrente (I) versus tensão (V) dos dispositivos operando como amplificadores (em regime de saturação) e como resistores (em regime linear). Na análise em regime linear, foram estudadas também estruturas balanceadas 2 e 4 dispositivos (2-MOS e 4-MOS). A partir das curvas resultantes, foram determinadas as distorções harmônicas total do terceiro harmônico, que são fatores decisivos em aplicações analógicas. Estas foram obtidas para dispositivos com comprimentos de canal (L) de 1, 2, 3 e 10 µm, sendo os três primeiros em regime de saturação e o último em regime linear. Várias razões LLD/L foram simuladas. Os resultados obtidos na saturação mostraram melhor linearidade nas curvas do GC GAA, em relação às do GAA convencional, de modo que, o GC GAA chega a apresentar uma melhora na distorção harmônica total (THD) de 30 dB em alguns dispositivos, a qual é impulsionada pelo ganho do GC, que pode ser até 50 vezes maior que o obtido em transistores GAA convencionais, associada à melhora decorrente da região fracamente dopada. Na análise em região triodo, por outro lado, a vantagem obtida com o uso do GC GAA é claramente percebida em estruturas balanceadas, sendo que, nas estruturas 2-MOS é permitida a redução na tensão de alimentação mantendo a linearidade constante, enquanto que no 4-MOS o ganho em THD chega a 5 dB.
- DissertaçãoAnálise de discriminantes lineares para modelagem e reconstrução de imagens de faces(2007) Kitani, Edson CaoruO reconhecimento de faces é uma nova área de pesquisa que tem recebido grande atenção nos últimos anos, dada a sua abrangência e multiplicinaridade. Entretanto, apesar dos avanços muitos problemas ainda não foram solucionados mantendo vivo o interesse dfa comunidade científica nesta área. Fundamentalmente, este trabalho aborda o estudo das imagens de face como um problema de reconhecimento de padrões e investiga o domínio de faces, baseado nas projeções vetoriais dessas faces no hiper-espaço, como um problema de estatísica multivariada. A partir desta hipótese, estudam-se quais características visuais são capturadas pelos modelos estatísticos lineares, a capacidade de generalização, e a possibilidade de predizer informações que não necessariamente pertencem a um conjunto de treinamento. Ainda no contexto da estatística multivariada, estudou-se a reconstrução visual dessas informações, cujos resultados comprovaram que um classificador linear pode ser utilizado também para extrir informações e predizer novas. Discute-se ainda o modelo de representação das imagens de faces e como uma alteração poderia ser transferida para uma imagem de face qualquer, de modo que esta incorporasse as novas informações do modelo. Complementando a pesquisa, desenvolveu-se uma nova interpretação das informações discriminantes fornecidas pelas abordagnes de análise de discriminantes lineares, e também uma nova forma de interpretação das componentes principais para fins de classificação. Os resultados deste trabalho indicaram o potencial de representação e generalização nas bases vetoriais geradas pelo PCA e pelo classificador baseado no método de Fisher.
- DissertaçãoDomótica inteligente: automação residencial baseada em comportamento(2007) Sgarbi, Julio AndréA automação reseidencial evoluiu muito nos últimos anos, entretanto pouco destaque é dado à automação residencial baseada no comportamento dos habitantes. O sistema proposto ABC+ (Automação Baseada em Comportamento) foi desenvolvido par observar e aprender regras em uma casa de acordo com o comportamento de seu habitante, utilizando o conceito de aprendizado com regras de indução. O principal problema abordado neste trabalho foi desenvolver um sistema simples e amigável que abrange as várias particularidades envolvidas na automação inteligente de uma residência, tais como as seqüências causais de eventos, que geram regras indesejáveis; a inserção de novas regras para os habitantes, sem causar desconforto aos mesmos; os diferentes perfis de habitantes e ambioentes, entre outros. As experiências forma feitas através de dois simuladores desenvolvidos para se comprovar primeiramente o correto funcionamento do sistema proposto e posteriormente observar o comportamento dos sitema e suas variáveis quando à ação de um agente (habitante)
- DissertaçãoComparação entre as análises estatísticas univariada e multivariada no diagnóstico da doença cerebral de Alzheimer(2007) Aguiar, N. A. O.A doença de Alzheimer é considerada uma das desordens cerebrais mais comuns e suas conseqüências são devastadoras, pois o cérebro humano tende a degenerar progressivamente e áreas como a memória, o raciocínio, a comunicação e a coordenação motora são particularmente afetadas. Embora a doença de Alzheimer seja a demência mais comum, ainda não existe uma cura para a mesma, e também não se sabe qual é a razão principal para que esta doença se manifeste. Um dos grandes avanços das pesquisas nesta área tem sido observado em trabalhos científicos que utilizam técnicas de neuroimagem de alta resolução, tais como imagens de ressonância magnética, para avaliar a estrutura, a função cerebral e a ativação de certas áreas do cérebro. Essa dissertação apresenta um estudo comparativo de imagens cerebrais de ressonância magnética, entre pessoas diagnosticadas previamente com a doença de Alzheimer e controle. Tomando as imagens cerebrais como ponto de partida investiga-se duas técnicas de análise estatística: a análise univariada denominada Statistical Parametric Mapping (SPM), comumente utilizada em problemas deste tipo; e a análise multivariada, proposta recentemente, formada pela composição das técnicas Principal Component Analysis (PCA) e Maximum Uncertainty Linear Discriminant Analysis (MLDA). Nos resultados obtidos em ambas análises, observou-se diferenças nas imagens extremamente relevantes, isto é, as áreas cerebrais onde foram encontradas as diferenças são onde realmente ocorrem alterações provocadas pela doença de Alzheimer. Essas áreas são o hipocampo, ventrículo, hipotálamo, corpo caloso, córtes cerebral, giro do cingulo e amígdala. Discute-se também a potencialidade dessas análises estatísticas e o grande benefício que um especialista da área médica desfrutaria se tivesse acesso a ambos os resultados auxiliando-o em eventuais pesquisas e diagnósticos da doença em questão.
- DissertaçãoAprendizado por reforço acelerado por heurísticas no domínio do futebol de robôs simulado(2007) Celiberto Jr., L. A.O aprendizado por reforço é uma técnica muito conhecida para a solução de problemas quando o agente precisa atuar com sucesso em um local desconhecido por meio de tentativa e erro. Porém, esta técnica não é eficiente o bastante para ser usada em aplicações com exigências do mundo real, devido ao tempo que o agente leva para aprender. Este trabalho apresenta o uso do Aprendizado por Reforço acelerado por heurísticas, no domínio da robótica móvel, utilizando para testes a plataforma do Robocup 2D simulação. Esta plataforma vem sendo usada cada dia mais no meio científico, a qual possiblita fazer inúmeros experimentos com jogadores virtuais, sem sofrer com problemas que comumente são encontrados em sistemas reais, além de manterem sempre as mesmas características de ambiente. O principal problema abordado neste trabalho é o uso da aceleração por heurísticas no Aprendizado por Reforço. Porém esta aceleração só é possível se primeiro for resolvido o problema de como desenvolver um sistema com Aprendizado por Reforço no Robocup 2D. Tal sistema apresenta diversos desafios, sendo o maior deles o tamanho do ambiente, o que gera grande dificuldade para um agente aprender uma política de decisões. Para solucionar este problema forma propostas formas de generalizar os estados, sem causar qualquer interferência no aprendizado. As experiências realizadas foram feitas sem o uso das heurísticas e depois com o uso das heurísticas. para a validação do trabalho, cada experimento foi repetido dez vezes, e seus resultados médios comparados através de uma análise estatística. Os resultados indicam algumas vantagens no uso das heurísticas, possibilitando a definição de algumas diretrizes importantes para a aplicação do uso de heurísticas no domínio do futebol de robôs simulado.
- DissertaçãoImpacto da utilização de transistores GC SOI MOSFET como espelhos de correntes para a obtenção de fontes de corrente de alto desempenho em circuitos integrados(2007) Santos, André de AlmeidaNeste trabalho é apresentado o estudo do impacto da utilização de transistores fabricados a partir da tecnologia SOI com dopagem assimétrica na região de canal (Graded- Channel - GC SOI MOSFET) em espelhos de corrente operando como fontes de corrente, nas arquiteturas já conhecidas da literatura como Fonte Comum, Wilson e Cascode. Para esta avaliação foram usadas simulações numéricas-bidimensionais e analíticas, além de comparações com resultados experimentais obtidos neste trabalho, tendo como figuras de mérito a Precisão de Espelhamento, a Excursão de Saída, a Resistência de Saída e a avaliação do Tempo de Estabilização dos espelhos de corrente. Através das simulações e das comprovações experimentais, foi possível observar as vantagens em se utilizar espelhos de corrente com transistores GC SOI, garantindo uma melhor precisão de espelhamento, causada pela menor influência de modulação do comprimento de canal, devida à redução da condutância de dreno dos dispositivos GC SOI. Com isso, um aumento de até 3 vezes na resistência de saída foi obtido. Estes efeitos serão apresentados em todas as arquiteturas de espelhos de correntes estudadas. Os resultados da análise da excursão de saída dos espelhos de correntes apresentaram uma melhora ainda mais promissora. Em todas as arquiteturas, a excursão de saída apresentou um aumento, em alguns casos superiores a 50%, comparando com os espelhos de corrente formados por transistores SOI Convencionais. Este efeito é devido ao aumento da tensão de ruptura nos dispositivos GC SOI, além da menor tensão de saturação para uma corrente constante. As medidas experimentais feitas neste trabalho comprovaram a tendência dos valores obtidos nas simulações de precisão de espelhamento, excursão de saída e de resistência de saída para dispositivos de comprimento de canal de L=2µm. Utilizando simulações numéricas bidimensionais, foi feito também um estudo do Tempo de Estabilização do espelho de corrente. Em todas as arquiteturas estudadas, os espelhos de corrente que trabalharam com os dispositivos GC SOI apresentaram uma diminuição significativa, da ordem de até 30%, associada ao aumento expressivo da transcondutância nos dispositivos GC SOI. Em termos gerais, a utilização do dispositivo GC SOI nas estruturas de espelhos de corrente conhecidas foi uma excelente alternativa para obtenção de fontes de corrente de alto desempenho para circuitos analógicos
- DissertaçãoEstudo do comportamento da corrente de fuga em transistores de portas circulares SOI MOSFET operando em altas temperaturas(2008) Almeida, L. M.Neste trabalho é apresentado um estudo da corrente de fuga em dispositivos SOI MOSFETs operando em altas temperaturas em duas estruturas geométricas: de porta retangular e de porta circular (CG). Estas estruturas são implementadas na tecnologia SOI nMOSFET parcialmente depletada, as quais serão submetidas a operarem desde a temperatura ambiente (300 K) até 573 K. O dispositivo de porta circular é assim denominado devido a toda sua estrutura possuir uma forma circular, que por sua vez, apresenta uma assimetria entre os terminais de dreno e fonte. Desta maneira, é possível utilizar duas combinações possíveis para a polarização. Para o desenvolvimento deste trabalho, uma série de simulações numéricas forma executadas para obtenção das características corrente de dreno (Ids) em função da tensão da porta (Vgs), através das quais comparamos so comportamentos dos transistores SOI MOSFET de porta retangular e os de porta circular. Como conseqüência destas simulações, forma investigados o comportamento da corrente de fuga do dreno e suas respctivas componentes em função da variação do comprimento de canal (Ifuga x L). em todos os resultados obtidos, sem exceção, foram constatadas ocorrências de dois fenômenos: dispositvos com comprimentos de canal menores (L) apresentam correntes de fuga maiores, e o CG SOI MOSFET pode apresentar comportamentos diferentes dependendo da configuração de sua polarização devido à sua assimetria. Portanto, com a intenção de investigar os motivos de ocorrerem esses fenômenos, foram avaliados os comportamentos da densidade da corrente de fuga em função da espessura do filme de silício (Jfuga x tsi) e também, a intensidade de campo elétrico do dreno em função da espessura do filme de silício (E x tsi)
- DissertaçãoEstudo de transistores SOI MOS de perfil trapezoidal através de simulação numérica tridimensional(2008) Martins, Luiz Gustavo PereiraOs dispositivos SOI MOS de múltiplas portas estão entre os transistores não planares de melhor desempenho, uma vez que, ao possuir o canal envolvido por mais de uma porta é maior o controle sobre as cargas no interior do canal, minimizando os efeitos causados pela redução das dimensões (escalamento). No processo de fabricação destes dispositivos podem ocorrer variações geométricas que eventualmente influenciam seu funcionamento elétrico. Neste trabalho é apresentado um estudo das características elétricas de dispositivos de portas triplas, não planares, construídos sobre substratos SOI, quando submetidos a variações geométricas de inclinação das paredes laterais e da variação de concentração de dopantes na região ativa. Foi executada uma série de simulações numéricas tridimensionais com o intuito de levantar as curvas características de corrente versus tensão dos dispositivos. A partir das curvas resultantes, foram determinadas as tensões de limiar (VTh), inclinações de sublimiar (S),transcondutâncias (gm) e condutâncias de dreno (gd). Os resultados obtidos mostraram que tanto o ângulo de inclinação das paredes laterais, como a concentração de dopantes no silício influem diretamente no desempenho dos transistores. Além da análise dos parâmetros elétricos obtidos através de simulações numéricas, também é apresentada uma extensão do modelo analítico tradicional de corrente de dreno, aplicável diretamente a transistores de paredes inclinadas. Trata-se de uma expressão fechada da corrente em função do ângulo e da polarização, para a região de saturação. O modelo é verificado comparando-se sua saída com dados de simulação.
- DissertaçãoEstudo da transcondutância e da razão da transcondutância sobre a corrente de dreno SOI nMOSFET de porta em formato de anel circular utilizando tecnologia SOI CMOS de 0,13 um(2008) Silva, W. A. J.Neste trabalho é apresentado o estudo comparativo entre o comportamento da transcondutãncia e da razão da transcondutãncia em função da corrente de dreno normalizada em função da razão de aspecto do SOI nMOSFET convencional e o de porta circular, parcialmente depletados dde tecnologia de 0,13um, que foram fabricados no IMEC Bélgica. Os efeitos de assimetria entre as regiões de fonte e dreno são considerados neste trabalho. Na primeira etapa foram realizados o tratamento e análise da parte experimental, onde pode-se notar que nas curvas da corrente de dreno normalizada versus a sobretensão de porta, para valores maiores que 600 mV, o dispositivo de porta em anel circular na configuração de dreno interno, apresenta maiores valores de corrente de dreno se comparado com os demais. Buscando-se entender este aumento, realizaou-se o logaritmo da curva da corrente de dreno normalizada pelo fator geométrico em função da sobretensão de porta, onde verificou-se que a configuração de dreno interno apresenta o efeito do transistor bipolar parasitário, para valores de Vds maiores que 200mV. Tentando confirmar este feito, realizaou-se novos ensaios, onde foi possível comprovar o efeito do transistor bipolar parasitário, determinando-se valores de acionamento e desacionamento do mesmo. Posteriormente foi determinado o valor da transcondutãncia e novamente para asm mesmas condições, verificou-se o efeito do transistor bipolar parasitário, determinando os pontos de acionamento e desacionamento. Para as curvas da razão da transcondutância sobre a corrente de dreno em função da corrente de dreno normalizada pela razão de aspecto, a qual é utilizada para aplicações analógicas, como por exemplo amplificadores operacionais de transcondutância (OTA), verificou-se que o SOI MOSFET de porta em anel circular na configuração dreno externo apresentou maiores valores nas regiões de inversão fraca e moderada, sendo ideal para aplicações de alto ganho de tensão. Na região de inversão forte, onde busca-se maiores respostas de frequência, os dispositivos circulares apresentaram resultados similares ao convencional. Na segunda etapa foram realizadas simulações numérica tridimensionais, onde verificou-se que o SOI nMOSFET de porta em anel circular na configuração de dreno externo apresentou maiores valores na região de inversão fraca e moderada, na região de inversão forte, indicada para resposta em frequência, os dispositivos circular e convencional apresentaram resultados similares.
- DissertaçãoImplementação de um sistema de interpretação de seqüências de imagens baseado em uma semântica de caminhos(2008) Brito, R. C.Neste trabalho abordamos o problema de interpretação de seqüências de imagens e sua principal contribuição é apresentar e discutir a implementação de um sistema computacional capaz de interpretar seqüências de imagens baseado em raciocínio espacial qualitativo. Nossa princiapl motivação para este desenvolvimento é interpretar seqüências de imagens, executando inferências lógicas sobre mudanças ocorridas nas cenas. Este sistema tem a habilidade de extrair informações de objetos de uma seqüência de imagens, obtidas por um sensor, associando relações entre objetos na cena e mudanças ao longo da seqüência, fornecendo assim, uma interpretação de alto nível. O sistema é dividido em dois módulos, o Módulo 1: extração de informações e o módulo 2: interpretação de alto nível. No Módulo 1 tem-se a entrada das cenas nno sitema. O módulo 2 é responsável por interpretar os movimentos dos objetos na seqüência de imagens. Para isto, utilizaremos o formalismo chamado T-logic (SANTOS, p. ; SANTOS, M. 2005), que é uma instância da Lógica de transações (BONNER ; KIFFER, 1993). Este formalismo utiliza dois oráculos baseados em raciocínio espacial qualitativo. Os testes efetuados no sistema mostram é possível interpretar seqüências de imagens utilizando raciocínio espacial qualitativo através do formalismo T-Logic.
- DissertaçãoAvaliação do comportamento elétrico de capacitores MOS em altas temperaturas(2008) Ziliotto, A. P. B.Este trabalho apresenta o estudo do comportamento do capacitor da tecnologia MOS por meio da análise da curva característica da capacitância em função da tensão de polarização aplicada à porta do dispositivo, operando em alta freqüência e exposto a temperaturas de até 300ºC. É feita a variação de algumas características físicas do capacitor MOS, como concentração de dopantes que compõe o substrato do dispositivo, o tipo do material de porta e de substrato, com o objetivo de verificar os efeitos provocados em sua curva característica C-V e analisar as tendências de comportamento resultantes na região de inversão do capacitor, quando operando em altas temperaturas. Os resultados obtidos por meio de simulações numéricas bidimensionais demonstram a importância da escolha cuidadosa dos materiais e dopagens utilizados em cada região da estrutura MOS para que a mesma seja apropriada para operar em temperaturas elevadas sem que haja a degeneração de suas características elétricas, principalmente na região de inversão operando em alta freqüência. Apresentamos ainda resultados experimentais que confirmam as tendências observadas no comportamento do capacitor MOS em altas temperaturas obtidas através das simulações numéricas, possibilitando a explicação dos efeitos físicos que surgem neste tipo de estrutura quando submetida a temperaturas na faixa de 27ºC a 300ºC, como é o caso do estreitamento da faixa proibida e aumento significativo da concentração intrínseca do substrato de silício que influi diretamente no valor total da capacitância medida na região de inversão da estrutura MOS estudada.
- DissertaçãoEstudo comparativo do comportamento da corrente de fuga em transistor SOI MOSFET convencional e de porta dupla operando em altas temperaturas(2008) Gutierrez, A. B.Este trabalho apresenta estudo referentes ao comportamento da corrente de fuga do dreno para o transistor SOI MOSFET de porta dupla (pd) em comparação com transistor SOI MOSFET convencional (pc), operando desde a temperatura ambiente até 350 C. Os resultados obtidos neste trabalho foram realizados através do simulador ATLAS, utilizando a simulação bidimensional, onde foram analisados os seguintes parâmetros que serviram para o estudo da corrente de fuga do dreno: a influência da variação da espessura do filme de silício (tsi) na corrente de fuga, a influência do comprimento do canal (L) do transistor na corrente de fuga, a influência da variação da tensão de dreno (Vds) para a corrente de fuga, estudo das densidades da corrente e a sua composição (elétrons e lacunas) em função das variações mencionadas anteriormente ao longo do filme de silício de cada uma das estruturas aplicadas, o estudo da corrente de fuga variando a polarização do substrato para o transistor SOI nMOSFET convencioanl e a variação da polarização de uma das portas do SOI nMOSFET porta dupla mantendo a outra corrente
- DissertaçãoEstudo do HALO em transistores SOI MOSFETs ultra-submicrométricos em função da temperatura(2008) Arrabaça, J. M.Neste trabalho é apresentado o estudo da influência do HALO em transistores SOI parcialmente depletado (PD SOI MOSFET). A partir das características do processo de fabricação da estrutura do HALO e do auxílio de um simulador numérico bidiomensional foram realizadas simulações para os transistores com diferentes comprimentos de canal no intervalo de 10um à 0,08um, com concentração de dopantes na região de HALO variando de 8,0 x10 cm3, com ângulo de implantação na região de HALO de 90º à 50º e com temperaturas de operação destes dispositivos de 300K à 100K. Primeiramente foram realizadas as simulações numéricas em temperatura ambiente de forma a se obter a concentração de dopantes a o ângulo de implantação que melhores se ajustassem aos resultados experimentais e, em então se reduziu à temperatura de operação do dispositivo. Em seguida foram realizadas as medidas experimentais para os dispositivos PD SOI MOSFETs com e sem HALO operando em temperatura ambiente e em baixas temperaturas para diversos comprimentos de canal. Após a obtenção dos dados foram extraídos os parãmetros elétricos, tensão de limiar (Vth) e inclinação de sublimiar (S), para o dispositivo PD SOI MOSFETe foi observado que o ângulo e a concentração de dopantes que melhor se ajustaram aos dados experimentais foi de 60º e 3,0 x10 cm3, respectivamente. Com a definição da concentração de dopantes e do ângulo de implantação do HALO foi reduzida a temperatura de operação e notou-se que a tensão de limiar dos dispositivos com e sem HALO apresentam melhora em até 13%, minimizando assim o efeito de canal curto reverso. Na proposta de otimização da estrutura do HALO, para se obter uma menor variação da tensão de limiar, foi determinado que o ângulo ideal para a implantação do HALO de 50º e que para a faixa de dopagem entre 1,2 x10 cm3 e 1,8 x 10 cm3 os dispositivos são imunes aos efeitos de canl curto e canal curto reverso.
- DissertaçãoEstudo comparativo do ruído flicker (1/f) entre amplificadores operacionais de transcondutância utilizando tecnologia convencional e de canal gradual (GC) SOI nMOSFET(2008) Gomes, R. L.Este trabalho tem por objetivo descrever a metodologia de desenvolvimento de projeto e realizar a caracterização elétrica em corrente contínua (CC) e alternada (AC), por simulação SPICE, de um amplificador operacional de transcondutância (Operational Transconductance Amplifier, OTA) SOI CMOS para operar em freqüências da ordem de dezenas de megahertz. A metodologia de projeto para a determinação das dimensões dos transistores desse circuito integrado analógico está baseada na curva da razão da transcondutância pela corrente entre dreno e fonte (gm/IDS) em função da razão da corrente entre dreno e fonte pela razão da largura sobre o comprimento de canal do transistor [IDS/(W?L)]. Além disso, outro objetivo deste trabalho é realizar o estudo comparativo do ruído flicker (1/f) em OTAs que são implementados com tecnologia SOI nMOSFET Convencional e Graded Channel (GC)
- DissertaçãoAnálise estatística multivariada de imagens cerebrais de controle e pacientes com transtorno obsessivo compulsivo(2008) Oliveira, Sergio Henry Alves dePreocupações, dúvidas e comportamentos ritualizados são, com certeza, fenômenos necessários para a adaptação dos seres humanos e de diversas outras espécies. No momento em que estes fenômenos passam a ocorrer de maneira excessiva e disfuncional, poderemos estar diante de sintomas do transtorno obssessivo-compulsivo ou, simplesmente TOC. Esse transtorno neuropsiquiátrico crônico ocupa o quarto lugar entre os transtornos psiquiátricos mais comuns e acomete de 2% a 3% da população independentemente de sexo, raça, quaociente de inteligência, estado civil, nível socioeconômico, religião ou nacionalidade. O TOC é um dos mais incapacitantes transtornos psiquiátricos e é classificado pela Organização Mundial de Saúde como uma das maiores causas de invalidez. Os sintomas de TOC em geral são indesejáveis e considerados como absurdos desprovidos de sentido pelo indivíduo em face aos seus referenciais de vida. Diversos estudos utilizando métodos de neuroimagem estrutural, como a ressonância magnética (RM), têm mostrado em pacientes com TOC perda da assimetria e diminuição ou expansão de certas estruturas cerebrais. Esse estudo investiga as diferenças estruturais cerebrais em imagens médicas de RM entre grupos de voluntários saudáveis e pacientes diagnosticados previamente com TOC através da abordagem estatística multivariada, proposta recentemente, formada pela composição das técnicas Principal Component Analysis (PCA) e maximum uncertainty Linear Discrimant Analysis (MLDA). em caráter comparativo utiliza-se o modelo estatístico mais comumente executado em problemas deste tipo: a análise univariada denominada Statistical Parametric Mapping (SPM). Foi observado nos resultados experimentais de ambas as análises, a presença de anormalidades volumétricas cerebrais relevantes, ou seja, em áreas cerebrais onde realmente existem mais evidências sugestivas da fisiopatologia do TOC, tais como os gânglios da base, tálamo e putâmen. Apresenta-se também a potencialidade da utilização dessas ferramentas por especialistas da área médica como auxílio em eventuais pesquisas e diagnósticos do transtorno psiquiátrico em questão.
- DissertaçãoEstudo da distorção harmônica em transistores de porta circular usando tecnologia SOI CMOS sub-micrométrica de 0,13um(2008) Dantas, L. P.Neste trabalho é apresentado o estudo comparativo de distorção harmônica entre transistores SOI nMOSFEts parcialmente depletados de porta de geometria circular e convencional, operando na região de saturação e em temperatura ambiente. Para tanto, são utilizados transistores com comprimento médio de canal igual a 1 um e óxido de porta igual a 2,5 nm. O transistor de porta circular apresenta assimetria entre as regiões de dreno e fonte, podendo assim ser polarizado de duas formas diferentes, denominadas de configuração de dreno externo e dreno interno. Uma outra característica do transistor circular, que não é observada nos transistores convencionais, é a ocorrência da corrente de dreno na direção radial. Para este trabalho foram executadas medidas experimentais e simulações numéricas tridimensionais para determinação das curvas características dos transistores [corrente de dreno em função da tensãod e porta (Ids x Vgs) e corrente de dreno em função da tensão de dreno (Ids x Vds)]. Toda análise da distorção harmônica foi feita aplicando-se o método da Função Integral (IFM), que permite a determinação de ditorção harmônica total (THD) e da distorção do segundo (HD2) e terceiro (HD3) harmônicos, usando-se apenas as curvas características de corrente contínua (DC) dos dispositivos. Essa análise mostrou, através da figura de mérito dividido pelo ganho em malha aberta (Av)] em função da razão da transcondutância (gm) sobre Ids do SOI nMOSFET de porta de geometria circular operando em configuração de dreno exrerno é menor do que na configuração de dreno interno e também que a configuração convencional do SOI nMOSFET. Isso faz com que o SOI nMOSFET de porta de geometria circular operando em configuraçção de dreno externo seja uma execelente alternativa em aplicações de circuitos integrados analógicos.
- DissertaçãoModelagem analítica de transistores SOI de canal gradual com porta dupla(2008) Ferreira, Francisco Antonio Lunalvo PorfidaApresenta-se neste trabalho o desenvolvimento de um modelo analítico para transistores nMOSFET de porta dupla (Double-Gate - DG) com canal gradual (Graded-Channel - GC) fabricados em tecnologia Silício sobre Isolante (Silicon-On-Insulator SOI), válido desde o regime de inversão fraca até a inversão forte. A estrutura de porta dupla permite o melhor controle das cargas no canal, resultando em menor ocorrência de efeitos de canal curto, inclinação de sublimiar próxima do ideal, maior corrente de dreno e maior transcondutância. A estrutura de canal gradual consiste na utilização de uma concentração de dopantes assimétrica na região de canal, ou seja, o canal é dividido em duas regiões com concentrações de dopantes distintas, cada qual com seu comprimento, sendo que a região próxima ao dreno possui a concentração de dopantes menor, o que minimiza o campo elétrico perto do dreno. Unidas, estas estruturas apresentam uma série de características desejáveis a circuitos analógicos, como uma significativa melhora na condutância de dreno o que leva a uma maior tensão Early, proporcionando um maior ganho intrínseco. Através do uso de modelos analíticos disponíveis na literatura para transistores de porta dupla, considerando uma estrutura equivalente representada por dois transistores de diferentes concentrações de dopantes ligados em série com portas curto-circuitadas, cada dispositivo simulando uma região do canal do transistor DG GC SOI nMOSFET, obteve-se um primeiro modelo da estrutura completa, de forma iterativa. Comparações entre este modelo iterativo e simulações numéricas bidimensionais demonstraram um excelente ajuste, com erro máximo de 11 %, obtido na curva de transcondutância em função da tensão de porta. Observou-se também que este modelo equivalente ofereceu ótimo ajuste quando comparado a resultados experimentais, com erro máximo de 7 %, novamente na curva de transcondutância. A partir da validação do modelo equivalente frente a resultados de simulação e experimentais, este modelo foi utilizado como base para o desenvolvimento de um modelo analítico. O modelo analítico desenvolvido foi também comparado a simulações bidimensionais e resultados experimentais, apresentando um ótimo ajuste nas características de corrente de dreno versus tensão aplicada e suas derivadas, em todos os regimes de operação.
- DissertaçãoDiagnose de motores diesel por meio de redes Bayesianas:(2008) Gomes, Cleber Willian