Programa de Pós-Graduação de Mestrado e Doutorado em Engenharia Elétrica
URI Permanente desta comunidade
Navegar
Navegando Programa de Pós-Graduação de Mestrado e Doutorado em Engenharia Elétrica por Assunto "Acionamento por tração"
Agora exibindo 1 - 1 de 1
Resultados por página
Opções de Ordenação
Dissertação Análise das propriedades básicas do sic VDMOSFET (WBG) para aplicações de tração automotiva(2019) Feitosa, F. C.A frota veicular no mundo está passando por uma grande transição em sua matriz energética, principalmente porque governos e entidades estão preocupados com os altos níveis de poluição. Esta pesquisa foca no uso de transistores de grande largura de banda proibida (Wide Band Gap – WBG) fabricados em carbeto de silício (Silicon Carbide - SiC), particularmente o Transistor de efeito de campo de óxido metálico duplo difundido vertical (Vertical Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor - VDMOSFET), para aplicação em tração elétrica. Trata-se de um trabalho baseado em um dispositivo em fase de inserção no mercado comercial e desenvolvido a partir de propostas de variações em dimensões e grandezas físicas, utilizando simulador numérico de dispositivos em tecnologia de desenvolvimento assistida por computador (Technology Computer-Aided Design - TCAD). Três parâmetros são focados: densidade de carga de interface, densidade de concentração de impurezas do canal e sobreposição da porta sobre o canal. Para cada um dos parâmetros foram traçadas diversas curvas de corrente de dreno versus tensão de dreno (IDS x VDS). Com estes três parâmetros são analisadas três grandezas: tensão de limiar (Vth), máxima transcondutância (máx. gm) e inclinação de sublimiar (S). Nesta pesquisa também são descritos em detalhes as características do dispositivo e os modelos matemáticos adotados para as simulações em TCAD. Este trabalho mostra a importância da eletrônica de potência para veículos elétricos (VE), qual a necessidade qual e futura dos veículos elétricos (VE) e ressalta as vantagens que o SiC VDMOSFET possui. Os dados analisados mostram que a tensão de limiar e a inclinação de sublimiar aumentam com o aumento da concentração de dopantes no canal. Já para o aumento de cargas na interface, foi observado que a tensão de limiar diminui e que o mesmo ocorre quando a porta não sobrepõem-se completamente sobre o canal. A máxima transcondutância deteriorasse com o aumento da concentração de dopantes no canal em maior grau quando comparado com o aumento da carga de interface. Todavia, a não sobreposição da porta sobre o canal deteriora drasticamente a máxima transcondutância e aumenta a inclinação de sublimiar conforme a sobreposição diminui