Programa de Pós-Graduação de Mestrado e Doutorado em Engenharia Elétrica
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Dissertação Abordagem experimental para projetos de fotossensores PIN CMOS SOI na faixa de UV(2015) Silva Júnior, J. B.Este trabalho consiste em um estudo do comportamento dos fotodiodos PIN CMOS SOI submetidos a variações de temperatura e polarização de substrato, para os comprimentos intrínsecos Li=1µm, 2µm, 5µm, 10µm e 100µm, aplicados à detecção de radiação UV. Algumas características importantes tais como responsividade, eficiência quântica, fotocorrente, corrente de escuro e relação sinal ruído são afetadas e devem ser avaliadas no projeto de fotodetectores. Através das medidas experimentais e simulações foi constado que a corrente de escuro (IDARK) possui dependência com o comprimento intrínseco, apresentando comportamentos distintos, dependendo do modo de operação. Outro parâmetro analisado foi a polarização de porta traseira (VBG), que modifica a disponibilidade de portadores da região intrínseca, resultando na alteração dos modos de acumulação, depleção e inversão. Em acumulação, obtida pela polarização de substrato, a corrente diminui com o aumento de Li, devido à presença da região de depleção lateral. Em inversão, esta corrente aumenta com Li, pois existe uma inversão na região intrínseca, fazendo com que o perfil de dopantes se comporte como P+N-N+, resultando numa alta taxa de geração ao longo de Li. Em inversão, a corrente devida à fotogeração aumenta com a temperatura, devido ao aumento do coeficiente de absorção (am) em altas temperaturas. Já na acumulação, a corrente fotogerada diminui com o aumento da temperatura, pois o comprimento de difusão (Ldif.) se reduz com o aumento da concentração de portadores e há degradação da mobilidade e do tempo de vida. Para aplicações de fotodetecção na faixa do ultravioleta em altas temperaturas, foi constatado que a máxima eficiência quântica total alcançada foi de QETOTAL=56,2% para Li=1µm em modo inversão, em virtude do aumento do coeficiente de absorção ser mais pronunciado em altas temperaturas. No regime de acumulação foi encontrado QETOTAL=21,7% para Li=10µm, bem abaixo quando comparado ao modo inversão, devido à redução do comprimento de difusão. Para a temperatura ambiente QETOTAL=33% para Li=5µm independente do modo de operação (acumulação/inversão). A relação sinal-ruído (SNR) é altamente influenciada pela temperatura, apresentando maiores valores de SNR para comprimentos intrínsecos pequenos (Li=1µm) operando entre 300K e 400K, devido à baixa recombinação de portadores livres. Se a aplicação requer robustez às variações de temperatura, é recomendado que os comprimentos intrínsecos sejam grandes (Li=100µm), pois a sensibilidade é menor, resultando numa degradação menos pronunciada quando comparado com fotodiodos de comprimentos pequenos..Tese Um agrupamento de modelos conexonistas por meio de sinapses artificiais e suas aplicações no mercado de criptomoedas(2020) Vilão Júnior, C. O.Este trabalho propõe um algoritimo, chamado de CMEAS, tem inspiração biológica focada na forma que o crescimento de axônios neuronais atinge seu destino sináptico em outras redes de neurônios. Esse crescimento segue caminhos específicos no cérebro de animais, definidos por determinadas proteínas. O CMEAS foi desenvolvido para agrupar duas redes neurais convolucionais, treinadas a priori em dois tópicos que influenciam simultâneamente o mercado de criptomoedas, como o tópico de notícias e de cotações. O meio pelo qual as redes são agrupadas, ocorre usandose conexões externas às redes originais, para se conectar aos neurônios internos de cada rede. Duas vertentes foram propostas para o treinamento do CMEAS, sendo um com aprendizado supervisionado e outro com aprendizado por reforço. Os resultados comprovados pelos testes de Wilcoxon, demonstram que o CMEAS teve melhor fator de lucro e índice sharpe superior nos experimentos em relação aos algoritimos de agrupamento clássico por meio de votação e redes profundas usadas de forma individual, o algoritimo, também, foi superior em todas as métricas da estratégia compra e retêm (buy and hold), além disso, o algoritimo obteve resultados próximos, porém, melhores que os da CNN-LSTM considerada estado da arte, dadas as métricas utilizadasDissertação Algoritmo de agrupamento por similaridade aplicado a criação de personas(2013) Masiero, A. A.A ascensão da tecnologia tem se mostrado presente ao longo dos últimos anos, fazendo com que a quantidade de dispositivos interconectados e seus tipos aumentem significativamente e, como consequência a diversidade dos usuários. Dessa maneira, os projetistas de interface se deparam com o problema de identificar quais são os tipos de usuários do produto em desenvolvimento de tal forma, que suas necessidades e preferências sejam atendidas. Para orientar o desenvolvimento do produto, uma técnica empregada por projetistas é a utilização de perfis que podem carregar consigo as informações dos usuários necessárias ao projeto. Durante a coleta das características do usuário, principalmente do comportamento, a quantidade de informações armazenadas é alta e difícil de interpretar sem ajuda computacional. Para auxiliar na análise e interpretação das informações coletadas, utiliza-se da técnica de clustering para que seja possível o agrupamento dos perfis diminuindo o volume dos dados para análise, mas não diminuindo a qualidade das informações. Todavia, os algoritmos de clustering existentes possuem algumas deficiências para o trabalho com perfis de usuários, principalmente. Pensando nisso, essa dissertação propõe um algoritmo que a partir das informações do comportamento do usuário capturadas automaticamente, realiza-se o agrupamento dos perfis com base em um valor de similaridade Q e em seguida apresentam-se os grupos obtidos que apoiam a criação das Personas. Para apoiar o desenvolvimento desta dissertação, uma aplicação prática é realizada no desenvolvimento de um sistema de prontuário eletrônico junto ao projeto Pesquisa e Estatística baseada em Acervo Digital de Prontuário Médico do Paciente em Telemedicina centrada no Usuário (PEAP-PMPT) junto ao Hospital Heliópolis de São Paulo onde o algoritmo de agrupamento por similaridade é aplicado na criação de Personas.Dissertação Algoritmos de segmentação de imagens de tomografia computadorizada da artéria carótida(2012) Gallão, Celso DenisEste trabalho apresenta estudos de algoritmos de segmentação de imagens baseados na entropia extensiva de Shannon, na entropia não extensiva de Tsallis, e em uma variação da entropia de Shannon com ponderações distintas entre background e foreground, aqui apresentada pela primeira vez como entropia de Shannon Ponderada. Outras metodologias de segmentação de imagens são aqui revistas apenas por conhecimento histórico, como a entropia relativa de Kullback-Leibler, limiarização tradicional e limiarização iterativa. Para a realização de testes comparativos entre os três modelos entrópicos estudados, são aplicados dados sintéticos gerados por funções Gaussianas, representando o background e o foreground de imagens. Esses dados são utilizados para o cálculo do limiar ótimo analítico segundo variações controladas da média, do desvio-padrão e da amplitude das funções Gaussianas. Esses limiares ótimos analíticos foram comparados com os limiares calculados por meio das entropias de Shannon, de Tsallis e de Shannon Ponderada. Os resultados mostram que as entropias de Tsallis e de Shannon Ponderada foram capazes de produzir limiares iguais aos limiares ótimos analíticos encontrados pelos dados sintéticos, em todos os casos analisados. Também são aplicadas as mesmas três técnicas entrópicas em imagens medicas reais das artérias carótidas, capturadas por tomografia computadorizada. As segmentações resultantes da aplicação dos três m´métodos entrópicos são, então, comparados com as segmentações manuais feitas por especialistas, para análise e discussão da precisão na medição da espessura das paredes (IMT) e da vazão do fluxo sanguíneo (lúmen) das artérias carótidas, e os resultados são apresentados.Dissertação Amplificador ECG incorporando pseudorresistores: projeto, implementação e caracterização em altas temperaturas(2024) Pessoa, Beatriz Barsocchi TestaComponentes eletrônicos, em geral, possuem grande sensibilidade às mudanças de temperatura. Temperaturas muito acima ou abaixo do valor considerado como ambiente causam uma mudança nas características físicas dos materiais dos componentes, acarretando um impacto significativo no desempenho e na confiabilidade dos dispositivos eletrônicos. Muitos dispositivos são projetados para operar dentro de uma faixa de temperatura específica e, se a temperatura exceder essa faixa, o dispositivo pode ser danificado ou não funcionar corretamente, fazendo com que, à medida que a temperatura aumente, o número de defeitos e falhas induzidas termicamente em dispositivos eletrônicos também aumente. O uso do pseudorresistor é uma técnica promissora para projetos de amplificadores biomédicos, uma vez que proporciona ao amplificador uma alta precisão, baixo ruído e ampla faixa de resposta em frequência. Além disso, os pseudorresistores na faixa de teraohms apresentam vantagens adicionais, como menor consumo de energia, melhor estabilidade térmica e menor área ocupada no chip em relação aos resistores convencionais. No entanto, o uso de pseudorresistores também pode apresentar desafios na implementação de circuitos, principalmente devido à complexidade do projeto e à necessidade de ajuste preciso dos parâmetros do circuito. Além disso, a variação de temperatura pode afetar a precisão do circuito que utiliza essa tecnologia, sendo necessário o uso de técnicas de compensação para minimizar esse efeito. Estudos anteriores sobre pseudorresistores estão limitados a simulações, modelagem e implementação de alguns amplificadores de banda estreita. Este estudo tem como objetivo projetar um circuito sob medida para aplicações de ECG, com largura de banda de 0,04 Hz a 2 kHz para a faixa completa de temperatura de aplicação. O circuito é digitalmente modelado, simulado e caracterizado, ajustando os valores de capacitância de feedback para otimizar o desempenho dentro da faixa de temperatura crucial para aplicações biomédicas. Após a validação do circuito desenvolvido, este projeto almeja realizar uma transição para a esfera prática, visando a aplicação em pacientes. Nesse cenário, enfatiza-se a integração direta com sinais biomédicos, com a validação da associação do circuito proposto juntamente ao dispositivo ADS1298ECGFE-PDK para análises clínicasDissertação Dissertação Análise da aplicação de controladores em robôs móveis(2019) Cadamuro, C. A. F.Dissertação Análise da capacidade cognitiva humana por meio do processamento de sinais pupilares em testes visuais(2018) Orsi, R. N.A cognição humana é algo que desperta o interesse do homem desde os primórdios de sua história. No entanto, muitos processos cognitivos ainda não podem ser explicados pela ciência. Neste contexto, esta dissertação propõe um estudo sobre as reações do sistema nervoso por meio de estímulos ao sistema cognitivo. Mais especificamente, a proposta foi utilizar técnicas de processamento de sinais e estatística multivariada para avaliar a intensidade de esforço mental e o desempenho cognitivo por meio da mensuração do diâmetro pupilar. Este trabalho realizou dois experimentos cognitivos, onde os voluntários foram submetidos a estímulos visuais ao mesmo tempo em que era adquirido o sinal pupilar. Ambos experimentos contaram com um teste cognitivo computadorizado e foram aplicados utilizando um equipamento de rastreamento ocular, um microcomputador e um software de apoio para apresentação do estimulo e calibração do equipamento. Os dados coletados foram tratados e processados com o auxílio de duas plataformas de desenvolvimento para processamento de sinais e computação estatística. Os resultados alcançados apontam que existe uma relação entre a carga cognitiva e a variação do diâmetro pupilar, mostrando que a pupila é um indicador sensível ao esforço mental. Como contribuição original, os resultados também mostram que é possível projetar classificadores estatísticos para predizer automaticamente o desempenho de humanos em tarefas cognitivas, se tal predição, considerar os sinais pupilares como um todo e não somente um resumo de sua variaçãoDissertação Análise da densidade de carga de inversão na condição limiar, em função da temperatura, em UTBB SOI MOSFETS(2019) Merzbahcer, N. C. C.Para suprir a crescente demanda de velocidade, desempenho e baixo consumo, a indústria de circuitos integrados tem se desenvolvido de forma agressiva nos últimos anos, consolidando a tecnologia CMOS como fator essencial para o avanço tecnológico desses dispositivos, onde a base já foi o transistor MOSFET. A tecnologia SOI (Silicon-On-Insulator) surgiu como uma alternativa para a redução das capacitâncias parasitárias de fonte e dreno, imunidade à radiação, operação em altas temperaturas e uma melhor inclinação de sublimiar. O transistor SOI UTBB (Ultra-Thin Body and Buried oxide), com corpo e óxido enterrado ultrafinos, é atualmente considerado como uma das opções possíveis para nós tecnológicos abaixo de 20 nm. Isso foi possível pois tornou-se viável alcançar baixas espessuras de óxido enterrado, por sua ótima integração entre os circuitos e por sua menor resistência térmica do óxido enterrado mais fino, bem como ao seu melhor controle eletrostático. Porém, a constante miniaturização nas dimensões físicas dos transistores faz com que estes sofram com os efeitos de canal curto (Short Channel Effects – SCE). Neste trabalho, é realizado um estudo sobre a densidade de carga de inversão na condição de limiar para temperaturas na faixa de 300 a 425K. Estudar a influência da temperatura em UTBBs é importante pois, estes dispositivos podem atingir temperaturas elevadas em condições normais de operação. O estudo é baseado na comparação de valores extraídos de simulações numéricas com modelos analíticos consolidados na literatura. Os resultados obtidos são analisados criticamente de forma a obter um modelo para a carga de inversão que tenha uma boa relação entre a precisão e a simplicidade do mesmoDissertação Análise da influência de características visuais na detecção automática de foco ocular humano(2015) Nascimento, Danilo OliveiraO foco ocular humano é uma das tarefas mais importantes nos processos cognitivos de interpretação de cenas. Na última década, surgiram vários métodos que objetivam predizer automaticamente os pontos de fixação do olhar humano. entretanto, a capacidade de estimar as regiões focais varia conforme o algoritmo utilizado e a imagem analisada, o que faz a eficiência ser satisfatória em apenas um conjunto de imagens. Este trabalho estudou 9 métodos surgidos na última década e 21 características diferentes para encontrar as relações entre as informações contidas nas imagens e a eficiência de predição. Utilizando uma base de dados supervisionada, este trabalho mostra que as características de dispersão para informações de intensidade e cor são as mais influentes para a eficiência dos métodos do que aquelas baseadas somente na média dessas informações. Além disso, características como a entropia da intensidade de tons de cinza ou área focal possuem uma correlação direta com a complexidade da cena e, quando o ruído visual aumenta (através do aumento do número de regiões de interesse ou cores) a centralidade foi a estratégia mais utilizada pelos seres humanos que testaram essa base, repercutindo nos métodos automáticos. Além do mais, este trabalho testa a capacidade de uma Rede Neural de identificar padrões contidos nas imagens originais e selecionar o método mais apropriado para estimar os pontos focais.Dissertação Análise da mobilidade em transistores SOI de canal gradual visando simulações de circuitos(2020) Silva, L. M. B.de-Semiconductor Field Effect Transistor) é um transistor SOI cujo canal está dividido em duas regiões: uma região fortemente dopada e outra região fracamente dopada. A redução da concentração de dopantes na região do canal próximo ao dreno permite que os transistores GC SOI apresentem uma série de vantagens com relação ao transistor SOI convencional, uniformemente dopado, apresentando melhores características analógicas, tais como maior nível de corrente, aumento da transcondutância, redução da condutância de dreno, o que implicaem maior tensão Early, e maior tensão de ruptura. A associação destas características faz com que o GC SOI MOSFET tenha grande potencial para aplicações em circuitos integrados analógicos. Uma das etapas do projeto de circuitos integrados é a simulação destes circuitos. Para isto, é necessário que existam modelos analíticos que descrevam adequadamente os dispositivos eletrônicos. Embora exista um modelo proposto para o transistor GC SOI, este não se encontra implementado em simuladores comerciais. Desta forma, alguns trabalhos demonstram a simulação deste transistor através da associação série de dois transistores SOI uniformemente dopados com diferentes concentrações e portas curto-circuitadas. Entretanto, a adoção desta estratégia faz com que seja necessário utilizar o dobro de transistores no circuito simulado. Adicionalmente, são inseridas as capacitâncias de fonte e dreno do ponto intermediário entre os dois transistores. Com vistas à simulação e projeto de circuitos integrados analógicos utilizando a estrutura de canal gradual, neste trabalho é apresentado um estudo da mobilidade efetiva dos transistores GC SOI. O objetivo é simular o transistor de canal gradual utilizando modelos disponíveis em simuladores comerciais para transistores SOI uniformemente dopados, através do ajuste de seus parâmetros, que são dependentes dos comprimentos e concentrações das duas regiões do canal. O trabalho demonstra que utilizando parâmetros de mobilidade como a mobilidade de baixo campo (µ0) e os fatores de degradação, linear (?1) e quadrático (?2), extraídos pelo método Y-Function e realizando ajustes no parâmetro PCLM, incluso no modelo BSIM-SOI e que é relacionado ao efeito de modulação de canal, é possível reproduzir o comportamento nas curvas da corrente de dreno (IDS) e transcondutância (gm) em função da tensão de porta (VGS) e nas curvas da corrente de dreno (IDS) e condutância de saída (gD) em função da tensão de dreno(VDS) utilizando um único transistor SOI MOSFET uniformemente dopado em um simulador SPICE. Os resultados apresentaram um erro máximo de 5,26% e 10,34% nas curvas da corrente de dreno (IDS) e transcondutância (gm), respectivamente, em função da tensão de porta (VGS) para baixa tensão de dreno (VDS) em transistores GC com comprimento de canal (L) de 1 µm e 2 µm. Para alta tensão de dreno (VDS), os erros obtidos foram de 10,68% e 14,08% nas curvas da corrente de dreno e transcondutância, respectivamente, em função da tensão de porta (VGS) para transistores GC de 2 µm. As curvas da corrente de dreno(IDS) em função da tensão de dreno (VDS) apresentaram um erro menor que 5,4% com sobretensão de porta (VGT) variando de 200mV a 600mV. Foi reproduzida a condutância de saída (gD) em função da tensão de dreno (VDS), apresentando uma melhor aproximação com os dados experimentais através de ajuste no parâmetro PCLM. Os melhores resultados foram obtidos para baixa sobretensão de porta (VGT) na região de saturação. O ajuste do parâmetro PCLM conjuntamente com os parâmetros de mobilidade, (µ0), (?1) e (?2), permitiram simular o comportamento do transistor GC com boa aproximação, o que pode tornar tal abordagem interessante para uma etapa inicial de simulação analítica de circuitos integrados analógicos utilizando o transistor GC SOI MOSFETDissertação Análise da segmentação da carótida com modelo de snake em imagens de tomografia computadorizada(2012) Silva, Rudson de LimaDissertação Análise das propriedades básicas do sic VDMOSFET (WBG) para aplicações de tração automotiva(2019) Feitosa, F. C.A frota veicular no mundo está passando por uma grande transição em sua matriz energética, principalmente porque governos e entidades estão preocupados com os altos níveis de poluição. Esta pesquisa foca no uso de transistores de grande largura de banda proibida (Wide Band Gap – WBG) fabricados em carbeto de silício (Silicon Carbide - SiC), particularmente o Transistor de efeito de campo de óxido metálico duplo difundido vertical (Vertical Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor - VDMOSFET), para aplicação em tração elétrica. Trata-se de um trabalho baseado em um dispositivo em fase de inserção no mercado comercial e desenvolvido a partir de propostas de variações em dimensões e grandezas físicas, utilizando simulador numérico de dispositivos em tecnologia de desenvolvimento assistida por computador (Technology Computer-Aided Design - TCAD). Três parâmetros são focados: densidade de carga de interface, densidade de concentração de impurezas do canal e sobreposição da porta sobre o canal. Para cada um dos parâmetros foram traçadas diversas curvas de corrente de dreno versus tensão de dreno (IDS x VDS). Com estes três parâmetros são analisadas três grandezas: tensão de limiar (Vth), máxima transcondutância (máx. gm) e inclinação de sublimiar (S). Nesta pesquisa também são descritos em detalhes as características do dispositivo e os modelos matemáticos adotados para as simulações em TCAD. Este trabalho mostra a importância da eletrônica de potência para veículos elétricos (VE), qual a necessidade qual e futura dos veículos elétricos (VE) e ressalta as vantagens que o SiC VDMOSFET possui. Os dados analisados mostram que a tensão de limiar e a inclinação de sublimiar aumentam com o aumento da concentração de dopantes no canal. Já para o aumento de cargas na interface, foi observado que a tensão de limiar diminui e que o mesmo ocorre quando a porta não sobrepõem-se completamente sobre o canal. A máxima transcondutância deteriorasse com o aumento da concentração de dopantes no canal em maior grau quando comparado com o aumento da carga de interface. Todavia, a não sobreposição da porta sobre o canal deteriora drasticamente a máxima transcondutância e aumenta a inclinação de sublimiar conforme a sobreposição diminuiDissertação Análise de capacitâncias em transistores SOI MOSFET de canal gradual(2024) Lopes, Allan OliveiraNeste trabalho é apresentada uma análise das capacitâncias em transistores GC SOI MOSFET (Graded Channel semiconductor on Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) variando a relação do comprimento do canal do dispositivo que possui uma baixa dopagem em relação ao comprimento total (LLD/L), além de aspectos construtivos do dispositivo, como tSi(espessura do filme de silício sobre isolante), toxf (espessura do óxido de porta da primeira interface), assim como comprimento de canal L, por meio de simulações. Ao realizar estas mudanças na estrutura do dispositivo, são observados diversos aspectos referentes a como as capacitâncias se comportam à medida que a relação (LLD/L) é variada, e estudando as transcapacitâncias CGD, CGS e CGB e a capacitância total CGG. É possível observar qual das transcapacitâncias tem maior contribuição para a capacitância total do dispositivo, como ela se comporta a medida que a tensão aplicada a porta cresce, bem como a verificação sobre como ocorre a distribuição de cargas ao longo do canal para algumas polarizações, como valores de VGS abaixo, próximos e acima da tensão de limiar VTH, tanto para um valor de VDS baixo, como um valor elevado, com a presença de um campo elétrico horizontal intenso, podendo assim observar, que a partir de determinado tamanho de dispositivo, o canal gradual perde uma parte de suas características no canal do dispositivo. No trabalho utilizou-se dos aparelhos de medição dispostos no Centro Universitário FEI e um chip com transistores de canal gradual a fim de observar também de maneira prática algumas das características que se desejava estudar. Então, utilizou-se da simulação para mudar as tecnologias e estruturas dos dispositivos estudados, a fim de estudar como cada mudança contribui para as características capacitivas do transistor, e como o canal gradual afetam o dispositivoDissertação Análise de características de navegação em redes para a detecção de intrusão com base em algoritmos bio-inspirados(2023) Frezzato, MiguelCom o constante aumento de usuários conectados à Internet, um grande volume de dados tem sido gerado a partir de várias redes. Em vista disso, a segurança cibernética está sendo cada vez mais afetada, havendo grande necessidade de estudos científicos na área. Sistemas de detecção de intrusão (IDS) cada vez mais robustos são constantemente desenvolvidos, visando proteger os dados que são trafegados nas redes. Estes sistemas analisam as características de fluxo de cada dispositivo na rede para identificar uma possível instrusão. Selecionar apenas as características que mais se relacionam com as intrusões influencia diretamente na velocidade da análise, além de auxiliar os classificadores a tomar decisões precisas ao identificar uma intrusão. Por outro lado, o desenvolvimento do aprendizado de máquina e de algoritmos de otimização inspirados na natureza têm impulsionado o avanço de diversas áreas tecnológicas. Assim, o presente trabalho apresenta uma metodologia de análise dessas características utilizando uma combinação de aprendizado de máquina e algoritmos bio-inspirados para detecção eficiente de intrusões na rede. Os resultados experimentais mostram que o método proposto aumenta a acurácia e a taxa de detecção do IDS, além de diminuir a taxa de falsos alarmes. Além disso, o método se mostrou competitivo com os principais trabalhos relacionados do estado da arte com desempenho semelhante ou superiror nas bases de dados NSL-KDD e UNSW-NB15Dissertação Análise de descasamento nas características elétricas de SOI nMOSFET de canal gradual operando em saturação(2017) Alves, C. R.Os transistores da tecnologia Silício-sobre-Isolante (SOI Silicon-On-Insulator) apresentam vantagens em relação à tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) convencional (BULK), tais como diminuição do efeito de canal curto, aumento da transcondutância, aumento da mobilidade, entre outras. Entretanto, apresentam reduzida tensão de ruptura de dreno, devido à ativação do transistor bipolar parasitário inerente à estrutura SOI. Com o intuito de diminuir esses efeitos indesejados foi projetada uma estrutura MOSFET chamada de SOI de Canal Gradual (GC SOI Graded-Channel). Resultados reportados na literatura mostram que GC SOI MOSFETs apresentam uma redução importante da condutância de saída, quando comparados aos SOI MOSFETs convencionais de mesma dimensão, além de aumento da transconduância e tensão de ruptura, qualificando estes transistores par aplicações analógicas de alto desempenho. Durante o processo de fabricação de transistores idênticos, devido às etapas do processo , pode ocorrer o descasamento nas suas características. A semelhança entre esses dispositivos é importante para o bom funcionamento de circuitos integrados elétricos que consideram dispositivos idênticos, tais como em um par diferencial e espelho de corrente. Este trabalho tem como obejtivo realizar o estudo do descasamento ( mismatching ) das características elétricas de SOI MOSFETs de canal gradual, comparando-os a transistores com canal uniformemente dopado. Serão analisados parâmetros elétricos básicos e analógicos, tais como a tensão de limiar, transcondutância, condutância de saída, tensão Early e ganho de tensão.Dissertação Análise de discriminantes lineares para modelagem e reconstrução de imagens de faces(2007) Kitani, Edson CaoruO reconhecimento de faces é uma nova área de pesquisa que tem recebido grande atenção nos últimos anos, dada a sua abrangência e multiplicinaridade. Entretanto, apesar dos avanços muitos problemas ainda não foram solucionados mantendo vivo o interesse dfa comunidade científica nesta área. Fundamentalmente, este trabalho aborda o estudo das imagens de face como um problema de reconhecimento de padrões e investiga o domínio de faces, baseado nas projeções vetoriais dessas faces no hiper-espaço, como um problema de estatísica multivariada. A partir desta hipótese, estudam-se quais características visuais são capturadas pelos modelos estatísticos lineares, a capacidade de generalização, e a possibilidade de predizer informações que não necessariamente pertencem a um conjunto de treinamento. Ainda no contexto da estatística multivariada, estudou-se a reconstrução visual dessas informações, cujos resultados comprovaram que um classificador linear pode ser utilizado também para extrir informações e predizer novas. Discute-se ainda o modelo de representação das imagens de faces e como uma alteração poderia ser transferida para uma imagem de face qualquer, de modo que esta incorporasse as novas informações do modelo. Complementando a pesquisa, desenvolveu-se uma nova interpretação das informações discriminantes fornecidas pelas abordagnes de análise de discriminantes lineares, e também uma nova forma de interpretação das componentes principais para fins de classificação. Os resultados deste trabalho indicaram o potencial de representação e generalização nas bases vetoriais geradas pelo PCA e pelo classificador baseado no método de Fisher.Dissertação Análise de métodos de reconhecimento de comportamento humano em ambientes domésticos utilizando sensores RGB+D(2021) Grassl, E. de B.trabalho proposto busca realizar uma revisão bibliográfica para levantar as bases de dados e reconhecedores de ações estado da arte na literatura recente, além de selecionar dois reconhecedores para compará-los. De acordo com o estudo realizado, os reconhecedores baseados em esqueletos 3D se mostraram promissores e os dois com maior desempenho foram selecionados: MS-G3D e Shift-GCN. Por outro lado, as bases de dados escolhidas foram a NTU RGB+D 120, com 11480 amostras e 120 classes, e a NTU RGB+D HOME, obtida por um subconjunto da NTU RGB+D 120 de 23784 amostras e 25 classes com o foco em ações realizadas em ambientes domésticos ou relacionadas à saúde. Assim, 12 configurações dos reconhecedores selecionados foram criadas e comparadas nas bases de dados propostas pelos métodos cross-subject e cross-setup, onde todas mostraram desempenhos estado da arte de até 85,80% para a base de dados NTU RGB+D 120 e até 84,32% para a NT RGB+D HOME. Além disso, foi possível observar que os reconhecedores baseados em esqueletos 3D são mais robustos em relação a ambientes e perspectivas diferentes e que as informações das arestas entre as juntas ou as movimentação entre as juntas dos esqueletos 3D em frames adjacentes resultaram em um maior desempenho dos reconhecedores. Por último, é possível observar que a fusão dos resultados de reconhecedores treinados com informações diferentes pode trazer um aumento considerável de seus desempenhos. Espera-se que o estudo realizado neste trabalho pode ser utilizado para guiar outros pesquisadores para a seleção de bases de dados e reconhecedores de ações, além de auxiliar a equipe do programa RoboFEI@HOME a incrementar a plataforma robótica HERA com capacidades de reconhecimento de comportamento humano.Dissertação Análise de métodos para extração de padrões sequenciais de comportamentos em casas inteligentes(2017) Figueiredo, G. M.Uma casa inteligente, também conhecida como smart home, possui diversos tipos de sistemas que envolvem desde dispositivos simples como os destinados para controle de iluminação, até os mais complexos, como dispositivos inteligentes que interagem com os moradores, e gradativamente novas tecnologias estão surgindo, convergindo para uma nova realidade em relação aos sistemas presentes em ambientes automatizados. Neste contexto, os moradores buscam mais conforto e uma melhor qualidade no interior da residência. Para aumentar o conforto e qualidade de vida torna-se necessário o desenvolvimento de um sistema que se adapte ao comportamento dos habitantes levando-se em conta que cada habitante possui um comportamento (sequência de ações) diferente. Para que a casa inteligente aprenda de forma autônoma o comportamento de seus habitantes, é necessário que ela conheça os padrões de utilização de cada um. Este trabalho apresenta um estudo sobre três algoritmos (GSP, SPADE e PrefixSpan) utilizados para a extração de padrões sequenciais. Serão apresentados os conceitos fundamentais de cada um e posteriormente será explicado como serão implementados para extrair os padrões sequenciais em casas inteligentes. Após realização dos testes, notou-se que a quantidade de dados analisada influenciou no resultado dos algoritmos. Quando poucos dados foram analisados, o sistema aprendeu pouco sobre o comportamento do habitante. Conforme o número de dados analisados aumentou, o sistema aprendeu mais sobre o comportamento do habitante. Com base nos resultados obtidos, concluiu-se que para o dataset utilizado neste trabalho, o melhor método para extração de padrões sequenciais de comportamento em casas inteligentes é o algoritmo PrefixSpan.Dissertação Análise de ruídos automotivos por parâmetros psicoacústicos(2022) Sartori, Renato ParedeOs ruídos parasitas em veículos novos/seminovos possuem um grande impacto na satisfação dos clientes brasileiros. A indústria automobilística já detectou esta particularidade de nosso mercado em que a presença destes ruídos é diretamente relacionada a qualidade/robustez dos produtos. Devida a esta importância as empresas vêm ampliando o investimento na detecção e caracterização nessa área, embora grande parte ainda usam o método tradicional através de rodagens com especialistas tanto na fase de projetos quanto durante a produção em massa ao longo do ciclo de vida do veículo. O presente estudo consiste em desenvolver uma metodologia para investigar a relação de parâmetros da psicoacústica com a irritabilidade dos clientes. A primeira etapa deste desenvolvimento foi a aquisição dos sinais realizada diretamente sobre veículos nas pistas de teste do grupo Peugeot Citroën na cidade de Porto Real e da Fiat na cidade de Betim. Esta atividade consistiu na gravação de dez sinais sonoros dentre as interfaces que mais provocam insatisfação/irritação dos clientes. Posteriormente esses sinais foram utilizados em duas análises exploratórias, subjetiva e objetiva. A análise subjetiva foi realizada com a participação de 52 colaboradores sem conhecimentos específicos sobre o tema. Todo o controle acústico, térmico, assim como distância entre os voluntários e o equipamento de reprodução foram baseados em estudos científicos afins. A avaliação dos áudios pelo júri foi conduzida através de uma reprodução auto-guiada permitindo que cada participante escolhesse a sequência de áudio. A avaliação seguiu a escala métrica de subjetividade da SAE(Society of Automotive Engineers). Por sua vez a análise objetiva consistiu em extrair dos sinais de áudio os parâmetros da psicoacústica como Loudness, Roughness, Sharpness e Fluctuation Strenght. Nessa etapa utilizou-se o software TestLAB para a extração dos parâmetros. A análise de dados consistiu inicialmente no cruzamento dos dados obtidos do júri através da audição com as notas fornecidas pelos especialistas do setor para cada um dos ruídos gravados. Como desenvolvimento final, um classificador sobre o impacto de cada ruído na satisfação dos clientes, usando o algoritmo de inteligência artificial ID3(Iterative Dichotomiser 3) foi implementado com o objetivo de reduzir a subjetividade quando comparado aos sistemas tradicionais empregados atualmente no setor automobilístico. Os experimentos exploratórios desta dissertação indicam que há correlação entre as métricas psicoacústicas com o nível de irritabilidade provocado pelos sinais assim como uma regra geral de classificação dos tipos de ruídos automotivos considerados