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Repositório do Conhecimento Institucional do Centro Universitário FEI
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Engenharia Elétrica
Programa de Pós-Graduação de Mestrado e Doutorado em Engenharia Elétrica
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URI Permanente para esta coleção
https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/753
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Artigo de evento
Comparative Analysis of Transcapacitances in Asymmetric Self-Cascode and Graded-Channel SOI nMOSFETs
(
2022-07-04
)
ALVES, C. R.
;
D'OLIVEIRA, L. M.
;
Michelly De Souza
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© 2022 IEEE.This work presents a comparative study of the transcapacitances of asymmetric self-cascode (A-SC) and graded-channel (GC) silicon-on-insulator (SOI) nMOSFETs, by means of two-dimensional numerical simulations. Simulated results show that the gate-to-drain capacitance is smaller for the ASC SOI device if compared to the GC SOI device, despite of the applied VDS.
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