Application of the Symmetric Doped Double-Gate Model in Circuit Simulation Containing Double-Gate Graded-Channel Transistors
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Tipo de produção
Artigo
Data
2010
Autores
CONTRERAS, Esteban
CERDEIRA, Antonio
ALVARADO, Joaquin
PAVANELLO, Marcelo A.
CERDEIRA, Antonio
ALVARADO, Joaquin
PAVANELLO, Marcelo A.
Orientador
Periódico
JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português)
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Citação
CONTRERAS, Esteban; CERDEIRA, Antonio; ALVARADO, Joaquin; PAVANELLO, Marcelo A.. Application of the Symmetric Doped Double-Gate Model in Circuit Simulation Containing Double-Gate Graded-Channel Transistors. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 5, n. 2, p. 110-115, 2010.