The Roles of the Gate Bias, Doping Concentration, Temperature and Geometry on the Harmonic Distortion of Junctionless Nanowire Transistors Operating in the Linear Regime
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Tipo de produção
Artigo
Data
2014
Autores
DORIA, Rodrigo Trevisoli
TREVISOLI, Renan Doria
DE SOUZA, Michelly
CUETO, Magali Estrada
CERDEIRA, Antonio
Pavanello, Marcelo Antonio
TREVISOLI, Renan Doria
DE SOUZA, Michelly
CUETO, Magali Estrada
CERDEIRA, Antonio
Pavanello, Marcelo Antonio
Orientador
Periódico
JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português)
Título da Revista
ISSN da Revista
Título de Volume
Citação
DORIA, Rodrigo Trevisoli; TREVISOLI, Renan Doria; DE SOUZA, Michelly; CUETO, Magali Estrada; CERDEIRA, Antonio; Pavanello, Marcelo Antonio. The Roles of the Gate Bias, Doping Concentration, Temperature and Geometry on the Harmonic Distortion of Junctionless Nanowire Transistors Operating in the Linear Regime. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 9, n. 2, p. 110-117, 2014.