Analysis of the leakage current in junctionless nanowire transistors
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Tipo de produção
Artigo
Data
2013
Autores
Trevisoli R.
Trevisoli Doria R.
De Souza M.
Antonio Pavanello M.
Trevisoli Doria R.
De Souza M.
Antonio Pavanello M.
Orientador
Periódico
Applied Physics Letters
Título da Revista
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Título de Volume
Citação
SOUZA, Michelly de; TREVISOLI, Renan D.; DORIA, Rodrigo Trevisoli; PAVANELLO, Marcelo A.;PAVANELLO, M. A.;PAVANELLO, M.;PAVANELLO, M.A.;PAVANELLO, MARCELO;ANTONIO PAVANELLO, MARCELO. Analysis of the leakage current in junctionless nanowire transistors. Applied Physics Letters, v. 103, n. 20, p. 202103, 2013.
Texto completo (DOI)
Palavras-chave
Resumo
This letter presents an analysis of the leakage current in Junctionless Nanowire Transistors. The analysis is performed using experimental data together with three-dimensional numerical simulations. The influences of the temperature, device dimensions, and doping concentration have been studied. The results of inversion-mode devices of similar dimensions are also presented for comparison purpose. © 2013 AIP Publishing LLC.