High temperature effects on harmonic distortion in submicron SOI graded-channel MOSFETs

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Tipo de produção
Artigo
Data
2011
Autores
Emam M.
Pavanello M.A.
Danneville F.
Vanhoenacker-Janvier D.
Raskin J.-P.
Orientador
Periódico
Advanced Materials Research
Título da Revista
ISSN da Revista
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Citação
EMAM, Mostafa; PAVANELLO, M.A.; DANNEVILLE, F.; VANHOENACKER-JANVIER, D.; RASKIN, Jean Pierre. High Temperature Effects on Harmonic Distortion in Submicron SOI Graded-Channel MOSFETs. ADVANCED MATERIALS RESEARCH (ONLINE), v. 276, p. 67-75, 2011.
Palavras-chave
Resumo
The effect of elevated temperature on the harmonic distortion in Graded-Channel MOSFETs is presented in this work. The Graded-Channel devices show interesting advantages in terms of nonlinear behavior compared to classical devices especially at higher temperatures up to 200°C. © (2011) Trans Tech Publications, Switzerland.

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