A Simple Electron Mobility Model Considering the Silicon-Dielectric Interface Orientation for Circular Surrounding-Gate Transistor

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Tipo de produção
Artigo
Data
2012
Autores
PERIN, A. L.
PEREIRA, A. S. N.
AGOPIAN, P. G. D.
MARTINO, J. A.
GIACOMINI, R.
Orientador
Periódico
JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português)
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Citação
PERIN, A. L.; PEREIRA, A. S. N.; AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J. A.; GIACOMINI, R.. A Simple Electron Mobility Model Considering the Silicon-Dielectric Interface Orientation for Circular Surrounding-Gate Transistor. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 7, n. 2, p. 100-106, 2012.
Texto completo (DOI)
Palavras-chave
Resumo

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