Minimizing the TID effects due to gamma rays by using diamond layout for MOSFETs
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Tipo de produção
Artigo
Data
2019
Autores
SEIXAS, LUIS E.
GONCALVEZ, O. L.
VAZ, R. G.
TELLES, A. C. C.
FINCO, S.
GIMENEZ, S. P.
GONCALVEZ, O. L.
VAZ, R. G.
TELLES, A. C. C.
FINCO, S.
GIMENEZ, S. P.
Orientador
Periódico
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Título da Revista
ISSN da Revista
Título de Volume
Citação
SEIXAS, LUIS E.; GONCALVEZ, O. L.; VAZ, R. G.; TELLES, A. C. C.; FINCO, S.; GIMENEZ, S. P.. Minimizing the TID effects due to gamma rays by using diamond layout for MOSFETs. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, v. 1, n. 1, p. 1-13, 2019.