The Influence of Back Gate Bias on the OCTO SOI MOSFET?s Response to X-ray Radiation
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Tipo de produção
Artigo
Data
2015
Autores
DE SOUZA FINO, LEONARDO NAVARENHO
Gimenez, S. P.
RENAUX, C.
FLANDRE, DENIS
GUAZZELLI DA SILVEIRA, MARCILEI APARECIDA
Gimenez, S. P.
RENAUX, C.
FLANDRE, DENIS
GUAZZELLI DA SILVEIRA, MARCILEI APARECIDA
Orientador
Periódico
JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português)
Título da Revista
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Citação
DE SOUZA FINO, LEONARDO NAVARENHO; Gimenez, S. P.; RENAUX, C.; FLANDRE, DENIS; GUAZZELLI DA SILVEIRA, MARCILEI APARECIDA. The Influence of Back Gate Bias on the OCTO SOI MOSFET?s Response to X-ray Radiation. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 10, n. 1, p. 43, 2015.