Study of proton radiation effects among diamond and rectangular gate MOSFET layouts
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Tipo de produção
Artigo
Data
2017
Autores
SEIXAS, L E
FINCO, S
SILVEIRA, M A G
MEDINA, N H
GIMENEZ, S P
FINCO, S
SILVEIRA, M A G
MEDINA, N H
GIMENEZ, S P
Orientador
Periódico
Materials Research Express
Título da Revista
ISSN da Revista
Título de Volume
Citação
SEIXAS, L E; FINCO, S; SILVEIRA, M A G; MEDINA, N H; GIMENEZ, S P. Study of proton radiation effects among diamond and rectangular gate MOSFET layouts. Materials Research Express, v. 4, n. 1, p. 015901, 2017.