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2008Estudo comparativo do ruído flicker (1/f) entre amplificadores operacionais de transcondutância utilizando tecnologia convencional e de canal gradual (GC) SOI nMOSFETGomes, R. L.
2008Estudo da distorção harmônica em transistores de porta circular usando tecnologia SOI CMOS sub-micrométrica de 0,13umDantas, L. P.
2008Estudo do HALO em transistores SOI MOSFETs ultra-submicrométricos em função da temperaturaArrabaça, J. M.
2008Estudo do comportamento da corrente de fuga em transistores de portas circulares SOI MOSFET operando em altas temperaturasAlmeida, L. M.
2007Estudo da linearidade em transistores SOI de porta dupla com estrutura de canal gradualDoria, R. T.
2007Impacto da utilização de transistores GC SOI MOSFET como espelhos de correntes para a obtenção de fontes de corrente de alto desempenho em circuitos integradosSantos, André de Almeida
2009Estudo de efeitos de canto em transistores de porta triplaBechelli, R. P.
2009Estudo do efeito de redução de barreira induzida pelo dreno em temperaturas criogênicas para transistores SOI ultra-submicrométricosSilva Júnior, J. M.
2008Estudo comparativo do comportamento da corrente de fuga em transistor SOI MOSFET convencional e de porta dupla operando em altas temperaturasGutierrez, A. B.
2008Estudo da transcondutância e da razão da transcondutância sobre a corrente de dreno SOI nMOSFET de porta em formato de anel circular utilizando tecnologia SOI CMOS de 0,13 umSilva, W. A. J.

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