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2020Avaliação do desempenho do transistor MOS sem junções configurado como Nanofio ou FINFETRibeiro, T. A.
2018Estudo do efeito NBTI em transistores MOS sem junçõesGraziano Júnior, N.
2016Influência da temperatura no ruído de baixa frequência em transistores SOI de canal gradual (GC SOI) submicrométricosMolto, A. R.
2020Análise da mobilidade em transistores SOI de canal gradual visando simulações de circuitosSilva, L. M. B.
2013Estudo do efeito do autoaquecimento em transistores MOSFETS fabricados em estruturas FINFETS e estruturas FINFETS modificadasMathias, R. D.
2018Avaliação da influência da evolução das tecnologias de fabricação de nanofios transistores MOS sobre suas características elétricasPaz, B. C.
2008Estudo de transistores SOI MOS de perfil trapezoidal através de simulação numérica tridimensionalMartins, Luiz Gustavo Pereira
2011Análise e modelagem da resistência de espraiamento em transistores FINFETParada, M. G. O.
2009Efeito de corpo em transistores SOI de porta dupla verticalCattaneo, M.
2012Estudo do efeito de autoaquecimento em transistores com canal por medida pulsadaGoto, Edson Kioshi,

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