Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments
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Tipo de produção
Artigo
Data
2021-01-05
Autores
VILAS BOAS, ALEXIS C.
MELO, MARCO ANTONIO ASSIS DE
Roberto Santos
Renato Giacomini
MEDINA N. H.
SEIXA, L. E.
FINCO, S.
PALOMO, F. R.
ROMERO-MAESTRE, A.
Marcilei Aparecida Guazzelli
MELO, MARCO ANTONIO ASSIS DE
Roberto Santos
Renato Giacomini
MEDINA N. H.
SEIXA, L. E.
FINCO, S.
PALOMO, F. R.
ROMERO-MAESTRE, A.
Marcilei Aparecida Guazzelli
Orientador
Periódico
MICROELECTRONICS RELIABILITY
Título da Revista
ISSN da Revista
Título de Volume
Citação
VILAS BOAS, A. C.; MELO, M. A. A. DE; SANTOS, R.B.B.; GIACOMINI, R.; MEDINA, N. H.; SEIXAS, L. E.; FINCO, S.; PALOMO, F. R.; ROMERO-MAESTRE, A.; GUAZZELLI, M. A. Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments. MICROELECTRONICS RELIABILITY, v. 116, p. 114000, 2021.
Texto completo (DOI)
Palavras-chave
TID,Radiation effects,GaN,HEMT
Resumo
The COTS power transistors based in GaN were exposed to TID effects by 10-keV X-rays. These HEMTs were tested in the On- and Off-state bias conditions. Switching tests were performed before and after irradiation steps. The devices were characterized at temperatures ranging from.