Estudo da tensão de limiar e inclinação de sublimiar em transistores SOI FinFETs de porta dupla e porta tripla
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Tipo de produção
Dissertação
Data
2007
Autores
Andrade, M. G. C.
Orientador
Martino, J. A.
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Citação
ANDRADE, M. G. C. Estudo da tensão de limiar e inclinação de sublimiar em transistores SOI FinFETs de porta dupla e porta tripla. 2007. 120 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2007
Texto completo (DOI)
Palavras-chave
Engenharia elétrica,Tecnologia de silício sobre isolante