Please use this identifier to cite or link to this item: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/652
Title: Estudo da tensão de limiar e inclinação de sublimiar em transistores SOI FinFETs de porta dupla e porta tripla
Authors: Andrade, M. G. C.
Advisor: Martino, J. A.
Issue Date: 2007
Keywords: Engenharia elétrica
Tecnologia de silício sobre isolante
Publisher: Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
URI: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/652
Appears in Collections:Teses e Dissertações

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
fulltext.pdf2.53 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.