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2018Estudo do efeito de autoaquecimento em transistores SOI-MOSFET fabricados em tecnologia de camadas ultra finas (UTB e UTBB)Costa, F. J.
2018Implementação do modelo contínuo estático e dinâmico de nanofios transistores MOS sem junções usando linguagem Verilog-A para projeto de circuitos CMOSMoreira, C. V.
2015Implementação das leiautes e estudo comparativo experimental entre MOSFETs planares de potência fabricados com diferentes estilos de leiauteSilva, G. A.
2013Estudo comparativo experimental entre o casamento do SOI nMOSFETs do tipo diamante do tipo diamante e dos seus respectivos convencionais equivalentesPeruzzi, V. V.
2008Estudo comparativo do ruído flicker (1/f) entre amplificadores operacionais de transcondutância utilizando tecnologia convencional e de canal gradual (GC) SOI nMOSFETGomes, R. L.
2017Leiaute diamante par MOSFETS sob os efeitos das radiações ionizantesSeixas Júnior, L. E.
2017Efeitos das radiações ionizantes de raios-X no SOI nMOSFET com geometria de porta octogonalFino, L. N. S.
2016Estudo comparativo do comportamento elétrico entre os MOSFETS dos tipos wave e convencionais equivalentes operando em ambientes de radiações ionizantesSouza, Rafael Navarenho de
2017Desenvolvimento de nanofios transistores em substratos SOI com espessuras nanométricasNemer, J. P.
2017Análise de descasamento nas características elétricas de SOI nMOSFET de canal gradual operando em saturaçãoAlves, C. R.

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