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2017Leiaute diamante par MOSFETS sob os efeitos das radiações ionizantesSeixas Júnior, L. E.
2017Efeitos das radiações ionizantes de raios-X no SOI nMOSFET com geometria de porta octogonalFino, L. N. S.
2016Estudo comparativo do comportamento elétrico entre os MOSFETS dos tipos wave e convencionais equivalentes operando em ambientes de radiações ionizantesSouza, Rafael Navarenho de
2017Desenvolvimento de nanofios transistores em substratos SOI com espessuras nanométricasNemer, J. P.
2016Estudo dos MOSFETs com estilo de leiaute do tipo elipsoidalCorreia, M. M.
2018Modelagem, simulação e caracterização elétrica da associação série assimétrica de transistores SOIAssalti, R.
2020Associação série assimétrica de transistores SOI MOS de camada de silício e óxido enterrado uktrafinos (UTBB) para aplicações analógicas de alto desempenhoD'Oliveira, L. M.
2020Estudo do casamento entre MOSFETs implementados com geometrias de porta não convencionais em ambientes de radiações de raios XPeruzzi, V. V.
2020Projeto, implementação e modelagem compacta de transistores MOSFET na configuração pseudorresistor para circuitos aplificadores de biosinaisPereira, C. F.

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