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18-Jun-2020Análise da densidade de carga de inversão na condição limiar, em função da temperatura, em UTBB SOI MOSFETSMerzbahcer, N. C. C.
18-Jun-2020Interpretação de situações de risco em cenas de tráfego de veículos utilizando lógica probabilísticaOliveira, A. A.
18-Jun-2020Distorção harmônica entre os MOSFETs implementados com os estilos de leiaute do tipo diamante híbrido e convencionaisAoyama, M. M.
18-Jun-2020Associação série assimétrica de transistores SOI MOS de camada de silício e óxido enterrado uktrafinos (UTBB) para aplicações analógicas de alto desempenhoD'Oliveira, L. M.
18-Jun-2020Avaliação de movimentos na patinação artística com identificação e interpretação de resultados automáticasBittar, L. M. V. R.
18-Jun-2020Classificação de cenas em imagens através da arquitetura cognitiva lidaGoulart, H. X.
18-Jun-2020Análise das propriedades básicas do sic VDMOSFET (WBG) para aplicações de tração automotivaFeitosa, F. C.
18-Jun-2020Domótica inteligente: automação residencial baseada em comportamentoSgarbi, Julio André
18-Jun-2020Classificação de cenas naturais baseada em cor e relacionamento espacial de regiões em uma Rede ComplexaSilva, S. M.
25-Jun-2019Estudo do tipo octo em ambientes de radiações ionizantes de raios-xLoesch, D. S.
25-Jun-2019Estudo experimental da influência das radiações ionizantes de raios-x em MOSFETS com estilo de leiaute de porta octogonal com tecnologia de fabricação de CIS CMOS de silício-germânio de 130nmCruz, William Souza da
21-Mar-2019Estudo do comportamento das correntes de fuga do dreno do Diamante SOI nMOSFET em altas temperaturasCarvalho, Daniel Belo de
21-Mar-2019Estudo comparativo do comportamento elétrico entre o wave SOI nMOSFET e o convencionalSilva, A. L.
21-Mar-2019Operação criogênica de transistores SOI-MOS sob a ação de tensão mecânica uniaxial no canalSouza, Márcio A. S.
21-Mar-2019Estudo da tensão de limiar e inclinação de sublimiar em transistores SOI FinFETs de porta dupla e porta triplaAndrade, M. G. C.
20-Mar-2019Estudo comparativo do comportamento da corrente de fuga em transistor SOI MOSFET convencional e de porta dupla operando em altas temperaturasGutierrez, A. B.
20-Mar-2019Influência das dimensões geométricas no comportamento da corrente de fuga em dispositivos SOI nMOSFETs de múltiplas portas em altas temperaturasGiroldo Jr, J.
20-Mar-2019Efeito da tensão mecânica biaxial em transistores SOI totalmente depletados em função da temperaturaSouza, Felipe Neves
20-Mar-2019Análise do comportamento estático e dinâmico de inversores lógicos SOI MOSFET operando em altas temperaturasRibeiro, F. P.
20-Mar-2019Estudo da transcondutância e da razão da transcondutância sobre a corrente de dreno SOI nMOSFET de porta em formato de anel circular utilizando tecnologia SOI CMOS de 0,13 umSilva, W. A. J.
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