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Deposit date	Title	Author(s)
25-Jun-2019	Estudo do tipo octo em ambientes de radiações ionizantes de raios-x	Loesch, D. S.
25-Jun-2019	Estudo experimental da influência das radiações ionizantes de raios-x em MOSFETS com estilo de leiaute de porta octogonal com tecnologia de fabricação de CIS CMOS de silício-germânio de 130nm	Cruz, William Souza da
21-Mar-2019	Estudo do comportamento das correntes de fuga do dreno do Diamante SOI nMOSFET em altas temperaturas	Carvalho, Daniel Belo de
21-Mar-2019	Estudo comparativo do comportamento elétrico entre o wave SOI nMOSFET e o convencional	Silva, A. L.
21-Mar-2019	Operação criogênica de transistores SOI-MOS sob a ação de tensão mecânica uniaxial no canal	Souza, Márcio A. S.
21-Mar-2019	Estudo da tensão de limiar e inclinação de sublimiar em transistores SOI FinFETs de porta dupla e porta tripla	Andrade, M. G. C.
20-Mar-2019	Estudo comparativo do comportamento da corrente de fuga em transistor SOI MOSFET convencional e de porta dupla operando em altas temperaturas	Gutierrez, A. B.
20-Mar-2019	Influência das dimensões geométricas no comportamento da corrente de fuga em dispositivos SOI nMOSFETs de múltiplas portas em altas temperaturas	Giroldo Jr, J.
20-Mar-2019	Efeito da tensão mecânica biaxial em transistores SOI totalmente depletados em função da temperatura	Souza, Felipe Neves
20-Mar-2019	Análise do comportamento estático e dinâmico de inversores lógicos SOI MOSFET operando em altas temperaturas	Ribeiro, F. P.
20-Mar-2019	Estudo da transcondutância e da razão da transcondutância sobre a corrente de dreno SOI nMOSFET de porta em formato de anel circular utilizando tecnologia SOI CMOS de 0,13 um	Silva, W. A. J.
20-Mar-2019	Influência de variações dimensionais decorrentes do processo de fabricação sobre parâmetros elétricos de FinFETs	Bühler, R. T.
20-Mar-2019	Efeito da tensão mecânica em transistores de múltiplas portas operando em temperaturas criogênicas	Doria, Renan Trevisoli
20-Mar-2019	Estudo comparativo da tensão de limiar, comprimento efetivo de canal, resistência série de fonte e dreno e de gm/IdsxIds/(W/L) entre o cynthia e o PSG com tecnologias de canal convencional e gradual	Oliveira, D. R.
20-Mar-2019	Impacto da utilização de transistores GC SOI MOSFET como espelhos de correntes para a obtenção de fontes de corrente de alto desempenho em circuitos integrados	Santos, André de Almeida
20-Mar-2019	Estudo da linearidade em transistores SOI de porta dupla com estrutura de canal gradual	Doria, R. T.
20-Mar-2019	Simulação das características elétricas de dispositivos de efeito de campo multiportas nanométricos	Kajihara, Almir Takeo
20-Mar-2019	Estudo do efeito de redução de barreira induzida pelo dreno em temperaturas criogênicas para transistores SOI ultra-submicrométricos	Silva Júnior, J. M.
20-Mar-2019	Estudo de SOI MOSFETs com estilos de leiaute não convencionais el altas temperaturas	Galembeck, E. H. S.
20-Mar-2019	Estudo de efeitos de canto em transistores de porta tripla	Bechelli, R. P.