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25-Jun-2019Estudo do tipo octo em ambientes de radiações ionizantes de raios-xLoesch, D. S.
25-Jun-2019Estudo experimental da influência das radiações ionizantes de raios-x em MOSFETS com estilo de leiaute de porta octogonal com tecnologia de fabricação de CIS CMOS de silício-germânio de 130nmCruz, William Souza da
21-Mar-2019Estudo do comportamento das correntes de fuga do dreno do Diamante SOI nMOSFET em altas temperaturasCarvalho, Daniel Belo de
21-Mar-2019Estudo comparativo do comportamento elétrico entre o wave SOI nMOSFET e o convencionalSilva, A. L.
21-Mar-2019Operação criogênica de transistores SOI-MOS sob a ação de tensão mecânica uniaxial no canalSouza, Márcio A. S.
21-Mar-2019Estudo da tensão de limiar e inclinação de sublimiar em transistores SOI FinFETs de porta dupla e porta triplaAndrade, M. G. C.
20-Mar-2019Estudo comparativo do comportamento da corrente de fuga em transistor SOI MOSFET convencional e de porta dupla operando em altas temperaturasGutierrez, A. B.
20-Mar-2019Influência das dimensões geométricas no comportamento da corrente de fuga em dispositivos SOI nMOSFETs de múltiplas portas em altas temperaturasGiroldo Jr, J.
20-Mar-2019Efeito da tensão mecânica biaxial em transistores SOI totalmente depletados em função da temperaturaSouza, Felipe Neves
20-Mar-2019Análise do comportamento estático e dinâmico de inversores lógicos SOI MOSFET operando em altas temperaturasRibeiro, F. P.
20-Mar-2019Estudo da transcondutância e da razão da transcondutância sobre a corrente de dreno SOI nMOSFET de porta em formato de anel circular utilizando tecnologia SOI CMOS de 0,13 umSilva, W. A. J.
20-Mar-2019Influência de variações dimensionais decorrentes do processo de fabricação sobre parâmetros elétricos de FinFETsBühler, R. T.
20-Mar-2019Efeito da tensão mecânica em transistores de múltiplas portas operando em temperaturas criogênicasDoria, Renan Trevisoli
20-Mar-2019Estudo da linearidade em transistores SOI de porta dupla com estrutura de canal gradualDoria, R. T.
20-Mar-2019Estudo comparativo da tensão de limiar, comprimento efetivo de canal, resistência série de fonte e dreno e de gm/IdsxIds/(W/L) entre o cynthia e o PSG com tecnologias de canal convencional e gradualOliveira, D. R.
20-Mar-2019Impacto da utilização de transistores GC SOI MOSFET como espelhos de correntes para a obtenção de fontes de corrente de alto desempenho em circuitos integradosSantos, André de Almeida
20-Mar-2019Simulação das características elétricas de dispositivos de efeito de campo multiportas nanométricosKajihara, Almir Takeo
20-Mar-2019Estudo do efeito de redução de barreira induzida pelo dreno em temperaturas criogênicas para transistores SOI ultra-submicrométricosSilva Júnior, J. M.
20-Mar-2019Impacto da utilização da associação série assimétrica de transistores SOI nas características elétricas de espelhos de correnteGomes, M. F.
20-Mar-2019Abordagem experimental para projetos de fotossensores PIN CMOS SOI na faixa de UVSilva Júnior, J. B.
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