Operação criogênica de transistores SOI-MOS sob a ação de tensão mecânica uniaxial no canal

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dc.contributor.advisorPavanello, M. A.
dc.contributor.authorSouza, Márcio A. S.
dc.date.accessioned2019-03-21T12:32:12Z
dc.date.available2019-03-21T12:32:12Z
dc.date.issued2010
dc.identifier.urihttps://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/659
dc.languagepor
dc.language.isopt_BR
dc.publisherCentro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
dc.subjectDispositivos eletromecânicos
dc.subjectTensão mecânica
dc.titleOperação criogênica de transistores SOI-MOS sob a ação de tensão mecânica uniaxial no canalpt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
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