Effect of the temperature on on Junctionless Nanowire Transistors electrical parameters down to 4K
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Tipo de produção
Artigo de evento
Data
2014-10-29
Autores
TREVISOLI, R.
Michelly De Souza
Rodrido Doria
KILCHTYSKA, V.
FLANDRE, D.
Marcelo Antonio Pavanello
Michelly De Souza
Rodrido Doria
KILCHTYSKA, V.
FLANDRE, D.
Marcelo Antonio Pavanello
Orientador
Periódico
2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices: Chip in Aracaju, SBMicro 2014
Título da Revista
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Citação
TREVISOLI, R.; DE SOUZA, M.; DORIA, R.; KILCHTYSKA, V.; FLANDRE, D.; PAVANELLO, M. A. Effect of the temperature on on Junctionless Nanowire Transistors electrical parameters down to 4K. 2014 29th Symposium on Microelectronics Technology and Devices: Chip in Aracaju, SBMicro 2014. Oct. 2014.
Texto completo (DOI)
Palavras-chave
Resumo
The aim of this work is to analyze the operation of Junctionless Nanowire Transistors at liquid helium temperature, focusing the operation at linear regime. The drain current, the transconductance, the low field mobility, subthreshold slope, the interface trap density and the channel resistance are the key parameters under analysis.