Estudo do efeito de redução de barreira induzida pelo dreno em temperaturas criogênicas para transistores SOI ultra-submicrométricos

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dc.contributor.advisorPavanello, M. A.
dc.contributor.authorSilva Júnior, J. M.
dc.date.accessioned2019-03-20T14:01:00Z
dc.date.available2019-03-20T14:01:00Z
dc.date.issued2009
dc.identifier.citationSILVA JÚNIOR, J. M. <b> Estudo do efeito de redução de barreira induzida pelo dreno em temperaturas criogênicas para transistores SOI ultra-submicrométricos. </b> 2009. 96 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009
dc.identifier.urihttps://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/486
dc.languagepor
dc.language.isopt_BR
dc.publisherCentro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
dc.subjectBaixas temperaturas
dc.subjectTecnologia de silício sobre isolante
dc.titleEstudo do efeito de redução de barreira induzida pelo dreno em temperaturas criogênicas para transistores SOI ultra-submicrométricospt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
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