Experimental comparative study between the diamond MOSFET and its conventional counterpart in high temperatures environment

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Tipo de produção
Artigo de evento
Data
2013-10-2013
Autores
GALEMBECK, E. H. S.
RENAUZ, C.
FLANDRE, D.
Salvador Gimenez
Orientador
Periódico
2013 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference, S3S 2013
Título da Revista
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Citação
GALEMBECK, E. H. S.; RENAUZ, C.; FLANDRE, D.; GIMENEZ, S. Experimental comparative study between the diamond MOSFET and its conventional counterpart in high temperatures environment. 2013 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference, S3S 2013, Oct. 2013.
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Palavras-chave
Resumo

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