Low frequency noise in submicron Graded-Channel SOI MOSFETs
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Tipo de produção
Artigo de evento
Data
2013-09-06
Autores
NEMER, J. P.
Michelly De Souza
FLANDRE, D.
Marcelo Antonio Pavanello
Michelly De Souza
FLANDRE, D.
Marcelo Antonio Pavanello
Orientador
Periódico
Chip in Curitiba 2013 - SBMicro 2013: 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices
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Citação
NEMER, J. P.; DE SOUZA, M; FLANDRE, D.; PAVANELLO, M. A. Low frequency noise in submicron Graded-Channel SOI MOSFETs. Chip in Curitiba 2013 - SBMicro 2013: 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Sept. 2013.
Texto completo (DOI)
Palavras-chave
Resumo
The origin of the low-frequency noise in submicron fully depleted Graded-Channel (GC) SOI MOSFET is investigated in terms of the channel length comparing two different technologies, OKI semiconductors and UCL. © 2013 IEEE.