Thin-film lateral SOI pin diodes for thermal sensing reaching the cryogenic regime
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Tipo de produção
Artigo
Data de publicação
2010
Autores
de Souza M.
Rue B.
Flandre D.
Pavanello M.A.
Rue B.
Flandre D.
Pavanello M.A.
Orientador
Periódico
Journal of Integrated Circuits and Systems
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Resumo
This paper presents the performance of lateral SOI PIN diodes for temperature sensing in the range of 100 K to 400 K. Experimental results indicate that PIN diodes can be used to implement temperature sensors with high accuracy in cryogenic regime, provided that a suitable temperature range is chosen for calibration. Numerical simulations using Atlas two-dimensional simulator were performed in order to confirm this hypothesis and extend the analysis, verifying the accuracy of the existing model.