Estudo da tensão de limiar e inclinação de sublimiar em transistores SOI FinFETs de porta dupla e porta tripla

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dc.contributor.advisorMartino, J. A.
dc.contributor.authorAndrade, M. G. C.
dc.date.accessioned2019-03-21T12:32:11Z
dc.date.available2019-03-21T12:32:11Z
dc.date.issued2007
dc.identifier.citationANDRADE, M. G. C. <b> Estudo da tensão de limiar e inclinação de sublimiar em transistores SOI FinFETs de porta dupla e porta tripla. </b> 2007. 120 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2007
dc.identifier.urihttps://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/652
dc.languagepor
dc.language.isopt_BR
dc.publisherCentro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
dc.subjectEngenharia elétrica
dc.subjectTecnologia de silício sobre isolante
dc.titleEstudo da tensão de limiar e inclinação de sublimiar em transistores SOI FinFETs de porta dupla e porta triplapt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
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