Self-heating-based analysis of gate structures on junctionless nanowire transistors

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Tipo de produção
Artigo de evento
Data
2017-08-28
Autores
BERGAMASHI, F. E.
Marcelo Antonio Pavanello
Mariniello, G.
Orientador
Periódico
SBMicro 2017 - 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices: Chip on the Sands, co-located Symposia: 30th SBCCI - Circuits and Systems Design, 2nd INSCIT - Electronic Instrumentation, 7th WCAS - IC Design Cases and 17th SForum - Undergraduate-Student Forum
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BERGAMASHI, F. E.; PAVANELLO, M. A.; Mariniello, G. Self-heating-based analysis of gate structures on junctionless nanowire transistors. SIMPÓSIO DE TECNOLOGIA E DISPOSITIVOS MICROELETRÔNICOS: CHIP ON THE SANDS, SBMICRO, 32., 2017, Fortaleza: SBMicro 2017 - 32º Simpósio de Tecnologia e Dispositivos Microeletrônicos: Chip on the Sands, co-localizado Simpósios: 30º SBCCI - Projeto de Circuitos e Sistemas, 2º INSCIT - Instrumentação Eletrônica, 7º WCAS - Casos de Design de IC e 17º SForum - Fórum de Estudantes de Graduação, 2017.
Texto completo (DOI)
Palavras-chave
Resumo
In this paper, an analysis on the thermal profile of Junctionless Nanowire Transistors is made, where self-heating effects are evaluated in devices with a large 4-contact gate, comparing the results with a minimized gate structure device. Tests are performed for different fin widths and fin heights. The analysis is based on three-dimensional simulations. Results showed that the gate structure is impactful to the thermal behavior of narrow small transistors, but not wide and tall ones.

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