Estudo experimental da influência das radiações ionizantes de raios-x em MOSFETS com estilo de leiaute de porta octogonal com tecnologia de fabricação de CIS CMOS de silício-germânio de 130nm
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Tipo de produção
Dissertação
Data
2019
Autores
Cruz, William Souza da
Orientador
Gimenez, S. P.
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CRUZ, William Souza da. Estudo experimental da influência das radiações ionizantes de raios-x em MOSFETS com estilo de leiaute de porta octogonal com tecnologia de fabricação de CIS CMOS de silício-germânio de 130nm. 2019. 117 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019 Disponível em: . Acesso em: 2 maio 2019.
Texto completo (DOI)
Palavras-chave
Radiação ionizante,Porta octogonal - geometria