Estudo experimental da influência das radiações ionizantes de raios-x em MOSFETS com estilo de leiaute de porta octogonal com tecnologia de fabricação de CIS CMOS de silício-germânio de 130nm

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dc.contributor.advisorGimenez, S. P.
dc.contributor.authorCruz, William Souza da
dc.date.accessioned2019-06-25T00:06:04Z
dc.date.available2019-06-25T00:06:04Z
dc.date.issued2019
dc.identifier.citationCRUZ, William Souza da. <b> Estudo experimental da influência das radiações ionizantes de raios-x em MOSFETS com estilo de leiaute de porta octogonal com tecnologia de fabricação de CIS CMOS de silício-germânio de 130nm. </b> 2019. 117 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019 Disponível em: <https://doi.org/10.31414/EE.2019.D.130705>. Acesso em: 2 maio 2019.
dc.identifier.doi10.31414/EE.2019.D.130705
dc.identifier.urihttps://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/761
dc.languagepor
dc.language.isopt_BR
dc.publisherCentro Universitário FEI, São Bernardo do Campo
dc.subjectRadiação ionizante
dc.subjectPorta octogonal - geometria
dc.titleEstudo experimental da influência das radiações ionizantes de raios-x em MOSFETS com estilo de leiaute de porta octogonal com tecnologia de fabricação de CIS CMOS de silício-germânio de 130nmpt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
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