Repositório do Conhecimento Institucional do Centro Universitário FEI
 

Surface Potential-Based Drain Current Analytical Model for Triple-Gate Junctionless Nanowire Transistors

N/D

Tipo de produção

Artigo

Data de publicação

2012

Texto completo (DOI)

Periódico

IEEE Transactions on Electron Devices

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98

Autores

TREVISOLI, R D
DORIA, R. T.
DE SOUZA, Michelly
DAS, Samaresh
FERAIN, I.
PAVANELLO, Marcelo A.

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Resumo

Citação

TREVISOLI, R D; DORIA, R. T.; DE SOUZA, Michelly; DAS, Samaresh; FERAIN, I.; PAVANELLO, Marcelo A.. Surface Potential-Based Drain Current Analytical Model for Triple-Gate Junctionless Nanowire Transistors. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 59, n. 12, p. 3510-3518, 2012.

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