X-ray radiation effects in overlapping circular-gate MOSFET's
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Tipo de produção
Artigo de evento
Data
2011-09-23
Autores
DE LIMA, J. A.
Marcilei Aparecida Guazzelli
CIRNE, K. H.
Roberto Santos
MEDINA, N. H.
Marcilei Aparecida Guazzelli
CIRNE, K. H.
Roberto Santos
MEDINA, N. H.
Orientador
Periódico
Proceedings of the European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems, RADECS
Título da Revista
ISSN da Revista
Título de Volume
Citação
DE LIMA, J. A.; GUAZZELLI, M. A.; CIRNE, K. H.; SANTOS, R. B. B.; MEDINA, N. H. X-ray radiation effects in overlapping circular-gate MOSFET's. Proceedings of the European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems, RADECS. p. 88-91, Sept. 2011.
Texto completo (DOI)
Palavras-chave
Resumo
IV-characteristics from ELT Overlapping Circular-Gate Transistors (O-CGT's) and rectangular-gate transistors are cross-checked after X-ray exposure. No degradation on O-CGT subthreshold behavior observed for doses up to 2.3 Grad. Devices were prototyped on standard 0.35 μm CMOS process. © 2011 IEEE.