PAZ, B. C.Rodrigo DoriaCASSE, M.BARRAUD, S.REIMBOLD, G.VINET, M.FAYNOT, O.Marcelo Antonio Pavanello2022-01-122022-01-122016-08-29PAZ, B. C.; DORIA, R.; CASSE, M.; BARRAUD, S.; REIMBOLD, G.; VINET, M.; FAYNOT, O.; PAVANELLO, M. A. Non-linearity analysis of triple gate SOI nanowires MOSFETS. In: SIMPÓSIO DE TECNOLOGIA E DISPOSITIVOS MICROELETRÔNICOS: CHIP NA MONTANHAS, 31., 2016, Minas Gerais: SBMicro 2016 - 31º Simpósio de Tecnologia e Dispositivos Microeletrônicos: Chip nas Montanhas, localizado 29º SBCCI - Projeto de Circuitos e Sistemas, 6º WCAS - Casos de Design de IC, 1º INSCIT - Instrumentação Eletrônica e 16º SForum - Fórum de Estudantes de Graduação, 2016.https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/3882© 2016 IEEE.This work aims to explore the harmonic distortion of triple gate SOI nanowires MOSFETs, considering long channel devices operating in saturation regime as amplifiers. The Integral Function Method is used to extract the total, second and third order harmonic distortions, which are the main figures of merit analyzed in this work. Low field mobility, surface roughness scattering and series resistance are correlated to the distortion minima. Narrower devices have shown improved linearity.Acesso RestritoArtigo de evento10.1109/SBMicro.2016.7731355harmonic distortionnon-linearitySOI nanowires