Martino, J. A.Andrade, M. G. C.2019-03-212019-03-212007ANDRADE, M. G. C. <b> Estudo da tensão de limiar e inclinação de sublimiar em transistores SOI FinFETs de porta dupla e porta tripla. </b> 2007. 120 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2007https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/652pt-BREngenharia elétricaTecnologia de silício sobre isolanteDissertação