Gimenez, S. P.Cruz, William Souza da2019-06-252019-06-252019CRUZ, William Souza da. <b> Estudo experimental da influência das radiações ionizantes de raios-x em MOSFETS com estilo de leiaute de porta octogonal com tecnologia de fabricação de CIS CMOS de silício-germânio de 130nm. </b> 2019. 117 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019 Disponível em: <https://doi.org/10.31414/EE.2019.D.130705>. Acesso em: 2 maio 2019.https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/761pt-BRRadiação ionizantePorta octogonal - geometriaDissertação10.31414/EE.2019.D.130705