Estatísticas para Estudo dos efeitos da dose total ionizante (TID) em um transistor comercial de lata mobilidade de elétrons (HEMT), baseado na hetroestrutura AIGaN/GaN
Total de visitas
views | |
---|---|
Estudo dos efeitos da dose total ionizante (TID) em um transistor comercial de lata mobilidade de elétrons (HEMT), baseado na hetroestrutura AIGaN/GaN | 0 |
Total visitas por mês
views | |
---|---|
setembro 2024 | 0 |
outubro 2024 | 0 |
novembro 2024 | 0 |
dezembro 2024 | 0 |
janeiro 2025 | 0 |
fevereiro 2025 | 0 |
março 2025 | 0 |