Departamento de Física
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- COTS Tolerant to Total Ionizing Dose (TID): AlGaN/GaNbased transistor 10 KeV X-ray Analysis(2022-11-09) BOAS, A. C.V.; ALBERTON, S. G.; DE MELO, M. A. A.; Roberto Santos; Renato Giacomini; MEDINA, N. H.; SEIXAS, L. E.; FINCO, S.; PALOMO, F. R.; Marcilei Aparecida Guazzelli© 2022 Institute of Physics Publishing. All rights reserved.Gallium nitride commercial transistors (GaN FET) are great candidates as power devices tolerant to the effects of Total ionizing dose (TID). Therefore, we have evaluated its robustness by analysing parameters in its characteristic parameters. Devices were exposed to a 10 keV X-ray source accumulating a total of 350 krad(Si). However, results indicate that the tested components are more tolerant to the effects of TID when in on-state mode rather than the off-mode, that is, when the device is working, which is good news for COTS applications in environments subject to the effects of ionizing radiation.
- Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET(2022-10-05) ALBERTON, S. G.; AGUIAR, V. A. P.; MEDINA, N. H.; ADDED, N.; MACCHIONE, E. L. A.; MENEGASSO, R.; CESARIO. G. J.; SANTOS, H. C.; SCARDUELLI, V. B.; ALCANTARA-NUNEZ, J. A.; Marcilei Aparecida Guazzelli; Roberto Santos; FLECHAS, D.© 2022 Elsevier LtdThe heavy-ion-induced single-event burnout (SEB) risk in power MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistors) can be assessed in ground facilities, although it is costly and time-demanding. For this reason, there have been few experimental studies dedicated to investigate the relevant parameter related to the description of ion-induced SEB phenomenon. In this work the heavy-ion-induced SEB in a low-voltage power VDMOSFET (vertical double-diffused MOSFET) is studied using several ion-energy combinations. A self-consistent statistical analysis is carried out in order to elucidate the relationship between charge deposition and SEB triggering. Experimental data is compared to a predictive model from the literature for SEE (single-event effect) worst-case prediction in power MOSFETs, supporting for the first time its relevance to the worst-case prediction in the SEB mechanism.
- SAFIIRA: a heavy-ion multi-purpose irradiation facility in Brazil(2020-05-05) AGUIAR, V. A. P.; MEDINA, N. H.; ADDED, N.; MACCHIONE, E. L. A.; ALBERTON, S. G.; LEITE, A. R.; AGUIRRE, F. R.; RIBAS, R. V.; PEREGO, C. C.; FAGUNDES, L. M.; TERASSI, J. C.; BRAGE, J. A. P.; SIMÕES, R. F.; MORAIS, O. B.; ALMEIDA , E. A.; JOAQUIM, P. M.; SOUZA, M. S. .; CECOTTE, F. M.; MARTINS, R.; DUARTE , J. G.; SCARDUELLI, V. B.; ALLEGRO, P. R. P.; ESCUDEIRO, R.; LEISTENSCHNEIDER, E.; OLIVEIRA, R. A. N.; SERVELO, W. A.; SILVA , M. T.; SARMENTO, V. E.; CARREIRA, C. A.; ABREU, J. C.; SILVA , S. C.; SANTOS, H. C.; RODRIGUES, C. L.; ASSIS, R. F.; SILVA, T. F.; TABACNIKS, M. H.; JOAQUIM, A. S.; MINAS, J. H. P.; KASHINSKY, D.; GUAZZELLI, Marcilei Aparecida; SEIXAS JR, L. E; FINCO, S.; BENEVENUTTI, F .Este trabalho descreve as novas instalações de física nuclear aplicada da Universidade de São Paulo, principalmente para irradiação de dispositivos eletrônicos. É uma configuração composta por um quadrupolo dupleto para foco / desfoque de feixe mais espalhamento múltiplo através de folhas de ouro para produzir feixes de íons pesados de baixa intensidade, grande área e alta uniformidade de 1 H a 107 Ag. As intensidades do feixe podem ser facilmente ajustadas de 10 2 partículas cm 2 / s a centenas de nA para uma área tão grande quanto 2,0 cm 2 e uniformidade melhor que 90%. Sua câmara de irradiação possui estágio motorizado de alta precisão, e o sistema é controlado por um LabView TMambiente, permitindo a automação da medição. São apresentadas considerações de design e exemplos de uso.