Associação série e análise de descasamento em transistores SOI MOSFET de canal gradual operando em saturação

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dc.contributor.advisorPavanello, M. A.
dc.contributor.authorSantos, Ingrid Catherine B..
dc.date.accessioned2019-03-21T12:32:12Z
dc.date.available2019-03-21T12:32:12Z
dc.date.issued2011
dc.identifier.citationSANTOS, Ingrid Catherine B. <b> Associação série e análise de descasamento em transistores SOI MOSFET de canal gradual operando em saturação. </b> 2011. 100 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010 Disponível em: <http://sofia.fei.edu.br/tede/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=205>. Acesso em: 15 jul. 2011.
dc.identifier.urihttps://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/661
dc.languagepor
dc.language.isopt_BR
dc.publisherCentro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
dc.subjectTransistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor
dc.titleAssociação série e análise de descasamento em transistores SOI MOSFET de canal gradual operando em saturaçãopt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
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