Influence of the gate oxide tunneling effect on the extraction of the silicon film and front oxide thickness in SOI nMOSFET

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Tipo de produção
Artigo de evento
Data
2005-09-05
Autores
PAIOLA, A. G.
NICOLETT, A. S.
MARTINO, J. A.
Orientador
Periódico
Proceedings - Electrochemical Society
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Citação
PAIOLA, A. G.; NICOLETT, A. S.; MARTINO, J. A. Influence of the gate oxide tunneling effect on the extraction of the silicon film and front oxide thickness in SOI nMOSFET. Proceedings - Electrochemical Society, v. PV 2005-08, p. 529-537, sept. 2005.
Texto completo (DOI)
Palavras-chave
Resumo
This work analyzes the influence of the gate oxide tunneling current on the extraction of the silicon film and front oxide thickness on deep submicrometer fully depleted SOI nMOSFET devices. Numerical bidimensional simulations to support the analysis and experimental measurements were done using 0.13 μm SOI CMOS technology.