Programa de Pós-Graduação de Mestrado e Doutorado em Engenharia Elétrica

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Navegando Programa de Pós-Graduação de Mestrado e Doutorado em Engenharia Elétrica por Autor "Almeida, L. M."

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    Dissertação
    Estudo do comportamento da corrente de fuga em transistores de portas circulares SOI MOSFET operando em altas temperaturas
    (2008) Almeida, L. M.
    Neste trabalho é apresentado um estudo da corrente de fuga em dispositivos SOI MOSFETs operando em altas temperaturas em duas estruturas geométricas: de porta retangular e de porta circular (CG). Estas estruturas são implementadas na tecnologia SOI nMOSFET parcialmente depletada, as quais serão submetidas a operarem desde a temperatura ambiente (300 K) até 573 K. O dispositivo de porta circular é assim denominado devido a toda sua estrutura possuir uma forma circular, que por sua vez, apresenta uma assimetria entre os terminais de dreno e fonte. Desta maneira, é possível utilizar duas combinações possíveis para a polarização. Para o desenvolvimento deste trabalho, uma série de simulações numéricas forma executadas para obtenção das características corrente de dreno (Ids) em função da tensão da porta (Vgs), através das quais comparamos so comportamentos dos transistores SOI MOSFET de porta retangular e os de porta circular. Como conseqüência destas simulações, forma investigados o comportamento da corrente de fuga do dreno e suas respctivas componentes em função da variação do comprimento de canal (Ifuga x L). em todos os resultados obtidos, sem exceção, foram constatadas ocorrências de dois fenômenos: dispositvos com comprimentos de canal menores (L) apresentam correntes de fuga maiores, e o CG SOI MOSFET pode apresentar comportamentos diferentes dependendo da configuração de sua polarização devido à sua assimetria. Portanto, com a intenção de investigar os motivos de ocorrerem esses fenômenos, foram avaliados os comportamentos da densidade da corrente de fuga em função da espessura do filme de silício (Jfuga x tsi) e também, a intensidade de campo elétrico do dreno em função da espessura do filme de silício (E x tsi)