Extração de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores

Abstract

Neste trabalho serão apresentadas as curvas características de Capacitores SOI-MOS e métodos de extração de parâmetros de processo e elétricos a partir destas curvas. Os métodos são testados e validados por simulações bidimensionais numéricas e aplicados experimentalmente, obtendo-se valores esperados para a tecnologia utilizad.