Comparison between the behavior of submicron Graded-Channel SOI nMOSFETs with fully- and partially-depleted operations in a wide temperature range
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Tipo de produção
Artigo de evento
Data de publicação
201-10-14
Texto completo (DOI)
Periódico
Proceedings - IEEE International SOI Conference
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Autores
Michelly De Souza
EMAM, M.
VANHOENACKER-JANVIER, D.
RASKIN, J. P.
FLANDRE, D.
Marcelo Antonio Pavanello
Orientadores
Resumo
Citação
DE SOUZA, M.; EMAM, M.; VANHOENACKER-JANVIER, D.; RASKIN, J. P.; FLANDRE, D.; PAVANELLO, M. A. Comparison between the behavior of submicron Graded-Channel SOI nMOSFETs with fully- and partially-depleted operations in a wide temperature range. Proceedings - IEEE International SOI Conference. Oct. 2010.