Thermal neutron induced upsets in 28nm SRAM
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Tipo de produção
Artigo
Data
2019-01-01
Autores
AGUIAR, V. A. P.
MEDINA, N. H.
ADDED, N.
MACCHIONE, E. L. A.
ALBERTON, S. G.
RODRIGUES, C. L.
SILVA, T. F.
ZAHN, G. S.
GENEZINI, F. A.
MORALLES, M.
BENEVENUTI, F.
GUAZZELLI, Marcilei Aparecida
MEDINA, N. H.
ADDED, N.
MACCHIONE, E. L. A.
ALBERTON, S. G.
RODRIGUES, C. L.
SILVA, T. F.
ZAHN, G. S.
GENEZINI, F. A.
MORALLES, M.
BENEVENUTI, F.
GUAZZELLI, Marcilei Aparecida
Orientador
Periódico
JOURNAL OF PHYSICS. CONFERENCE SERIES
Título da Revista
ISSN da Revista
Título de Volume
Citação
AGUIAR, V A P; MORALLES, M; BENEVENUTI, F; GUAZZELLI, M. A. ; MEDINA, N H; ADDED, N; MACCHIONE, E L A; ALBERTON, S G; RODRIGUES, C L; SILVA, T F; ZAHN, G S; GENEZINI, F A. Thermal neutron induced upsets in 28nm SRAM. JOURNAL OF PHYSICS. CONFERENCE SERIES, v. 1291, p. 1-4, 2019.
Texto completo (DOI)
Palavras-chave
Resumo
In this work, we present the first results of static tests in a 28nm SRAM under thermal neutron irradiation from the IPEN/IEA-R1 research reactor. The SRAM used was the configuration memory of a Xilinx Zynq-7000 FPGA and the ECC frame was used to detect bit-flips. It was obtained a SEU cross-section of 9.2(21) × 10−16 cm2/bit, corresponding to a FIT/Mb of 12(5), in accordance with expected results. The most probable cause of SEU in this device are 10B contamination on tungsten contacts.