Electric field and temperature effects in irradiated MOSFETs
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Tipo de produção
Artigo de evento
Data
2016-12-04
Autores
Marcilei Aparecida Guazzelli
SANTOS, R. B. B.
LEITE, F. G.
ARAUJO, N. E.
CIRNE, K. H.
MELO, M. A. A.
RALLO, A.
AGUIAR, V. A. P.
AGUIRRE, F.
MACCHIONE, E. L. A.
ADDED, N.
MEDINA, N.H.
SANTOS, R. B. B.
LEITE, F. G.
ARAUJO, N. E.
CIRNE, K. H.
MELO, M. A. A.
RALLO, A.
AGUIAR, V. A. P.
AGUIRRE, F.
MACCHIONE, E. L. A.
ADDED, N.
MEDINA, N.H.
Orientador
Periódico
AIP Conference Proceedings
Título da Revista
ISSN da Revista
Título de Volume
Citação
GUAZZELLI, M. A.; SANTOS, R. B. B.; LEITE, F. G..; ARAUJO, N. E.; CIRNE, K. H.; MELO, M. A. A.; RALLO, A.; AGUIAR, V. A. P.; AGUIRRE, F.; MACCHIONE, E. L. A.; ADDED, N.; MEDINA, N.H. Electric field and temperature effects in irradiated MOSFETs. AIP Conference Proceedings, v. 1753, Dec. 2014.
Texto completo (DOI)
Palavras-chave
Resumo
© 2016 Author(s).Electronic devices exposed to ionizing radiation exhibit degradation on their electrical characteristics, which may compromise the functionality of the device. Understanding the physical phenomena responsible for radiation damage, which may be specific to a particular technology, it is of extreme importance to develop methods for testing and recovering the devices. The aim of this work is to check the influence of thermal annealing processes and electric field applied during irradiation of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFET) in total ionizing dose experiments analyzing the changes in the electrical parameters in these devices.