Estudo comparativo do comportamento elétrico entre o wave SOI nMOSFET e o convencional

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dc.contributor.advisorGimenez, S. P.
dc.contributor.authorSilva, A. L.
dc.date.accessioned2019-03-21T12:32:12Z
dc.date.available2019-03-21T12:32:12Z
dc.date.issued2010
dc.identifier.urihttps://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/660
dc.languagepor
dc.language.isopt_BR
dc.publisherCentro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
dc.subjectMétodos de simulação
dc.subjectTransistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor
dc.titleEstudo comparativo do comportamento elétrico entre o wave SOI nMOSFET e o convencionalpt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
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