Non-linearity analysis of triple gate SOI nanowires MOSFETS
Nenhuma Miniatura disponível
Citações na Scopus
6
Tipo de produção
Artigo de evento
Data
2016-08-29
Autores
PAZ, B. C.
Rodrigo Doria
CASSE, M.
BARRAUD, S.
REIMBOLD, G.
VINET, M.
FAYNOT, O.
Marcelo Antonio Pavanello
Rodrigo Doria
CASSE, M.
BARRAUD, S.
REIMBOLD, G.
VINET, M.
FAYNOT, O.
Marcelo Antonio Pavanello
Orientador
Periódico
SBMicro 2016 - 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices: Chip on the Mountains, co-located 29th SBCCI - Circuits and Systems Design, 6th WCAS - IC Design Cases, 1st INSCIT - Electronic Instrumentation and 16th SForum - Undergraduate-Student Forum
Título da Revista
ISSN da Revista
Título de Volume
Citação
PAZ, B. C.; DORIA, R.; CASSE, M.; BARRAUD, S.; REIMBOLD, G.; VINET, M.; FAYNOT, O.; PAVANELLO, M. A. Non-linearity analysis of triple gate SOI nanowires MOSFETS. In: SIMPÓSIO DE TECNOLOGIA E DISPOSITIVOS MICROELETRÔNICOS: CHIP NA MONTANHAS, 31., 2016, Minas Gerais: SBMicro 2016 - 31º Simpósio de Tecnologia e Dispositivos Microeletrônicos: Chip nas Montanhas, localizado 29º SBCCI - Projeto de Circuitos e Sistemas, 6º WCAS - Casos de Design de IC, 1º INSCIT - Instrumentação Eletrônica e 16º SForum - Fórum de Estudantes de Graduação, 2016.
Texto completo (DOI)
Palavras-chave
Resumo
© 2016 IEEE.This work aims to explore the harmonic distortion of triple gate SOI nanowires MOSFETs, considering long channel devices operating in saturation regime as amplifiers. The Integral Function Method is used to extract the total, second and third order harmonic distortions, which are the main figures of merit analyzed in this work. Low field mobility, surface roughness scattering and series resistance are correlated to the distortion minima. Narrower devices have shown improved linearity.