Estudo do tipo octo em ambientes de radiações ionizantes de raios-x

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dc.contributor.advisorGimenez, S. P.
dc.contributor.authorLoesch, D. S.
dc.date.accessioned2019-06-25T00:06:05Z
dc.date.available2019-06-25T00:06:05Z
dc.date.issued2019
dc.identifier.citationLOESCH, D. S. <b> Estudo do tipo octo em ambientes de radiações ionizantes de raios-x. </b> 2019. 99 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019 Disponível em: <https://doi.org/10.31414/EE.2019.D.130714>. Acesso em: 6 maio 2019.
dc.identifier.doi10.31414/EE.2019.D.130714
dc.identifier.urihttps://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/762
dc.languagepor
dc.language.isopt_BR
dc.publisherCentro Universitário FEI, São Bernardo do Campo
dc.subjectRadiação ionizante
dc.subjectTransistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor
dc.subjectDepambrre
dc.titleEstudo do tipo octo em ambientes de radiações ionizantes de raios-xpt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
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