Repositório do Conhecimento Institucional do Centro Universitário FEI
 

Quantum Efficiency Improvement of SOI p-i-n Lateral Diodes Operating as UV Detectors at High Temperatures

N/D

Tipo de produção

Artigo

Data de publicação

2017

Texto completo (DOI)

Periódico

IEEE Sensors Journal

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Autores

NOVO, CARLA
BUHLER, RUDOLF
BAPTISTA, JOAO
GIACOMINI, RENATO
AFZALIAN, ARYAN
FLANDRE, DENIS

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Resumo

Citação

NOVO, CARLA; BUHLER, RUDOLF; BAPTISTA, JOAO; GIACOMINI, RENATO; AFZALIAN, ARYAN; FLANDRE, DENIS. Quantum Efficiency Improvement of SOI p-i-n Lateral Diodes Operating as UV Detectors at High Temperatures. IEEE Sensors Journal, v. 17, n. 6, p. 1641-1648, 2017.

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