Repositório do Conhecimento Institucional do Centro Universitário FEI
 

Teses e Dissertações

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20122

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Orientador: search.filters.advisor.Bellodi, MarcelloAssunto: search.filters.subject.Transistores

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  • N/D
    Dissertação
    Estudo do comportamento da corrente de fuga do dreno do transistor SOI NMOSFET de canal delta operando em altas temperaturas
    (2012) Correia, M. M.
    Este estudo apresenta a investigação do comportamento da corrente de fuga do dreno em transistores tipo SOI nMOSFET canal delta (canal triangular) em função das dimensões geométricas do canal, isto é, comprimento de canal (0,1?m ? L ? 1?m) e do ângulo interno (30º ? ? ? 90º) da estrutura formada pelo canal triangular, no comportamento da corrente de fuga do dreno (IDleak) destes dispositivos, quando operando, desde a temperatura ambiente (T) de 27ºC até 300ºC. Através de simulações numéricas tridimensionais (3D), realizadas com o simulador numérico bidimensional e tridimensional de dispositivos ATLAS, observou-se, para os dispositivos estudados, que IDleak é composta majoritariamente por elétrons, sendo que a intensidade de elétrons em IDleak é cerca de três ordens de grandeza maior em relação aos níveis de intensidade de lacunas. Este comportamento foi observado em todos os dispositivos analisados. Além disto, para menores valores de L observa-se maiores valores de IDleak, nas mesmas condições de temperatura e polarização. Porém, menores ângulos ?, resultam em menores níveis de IDleak, para dispositivos operando nas mesmas condições de polarização e temperatura. Através das análises pode-se concluir que ao comparar dois dispositivos com L distintos, considerando-se IDleak, nota-se que quanto menor o comprimento de canal mais crítico torna-se o fator do ângulo ? na intensidade da corrente de fuga do dreno no transistor. Os dados analisados para dispositivos com L=0,1?m mostram que, para dispositivos a temperatura ambiente, IDleak é cerca de 6 ordens de grandeza mais alto no dispositivo com ?=90º, em relação ao dispositivo com ?=30º. Já para os mesmos dispositivos operando a T=300ºC, IDleak é cerca de 1 ordem de grandeza maior no dispositivo com ?=90º
  • N/D
    Dissertação
    A influência das altas temperaturas no comportamento da corrente de fuga do dreno em transistores Cynthia SOI NMosfets
    (2012) Swerts, Alysson Augusto Silva
    Neste trabalho de mestrado foi realizada a investigacao do comportamento da corrente de fuga do dreno (IDLEAK) em dispositivos Cynthia SOI nMOSFETs operando em altas temperaturas, atraves de simulacoes numericas tridimensionais, atraves da variacao das dimensoes geometricas como o comprimento do canal (L) e o diametro do canal (D), por se tratar de um dispositivo com secao transversal circular. Para o desenvolvimento desta investigacao, assumiu-se o valor de entre D=50nm e 150nm e o comprimento do canal de L=100nm ate 1 Êm. Os dispositivos avaliados tem ainda a largura da fonte/dreno de Ldreno=25nm ou Lfonte=25nm, bem como, os contatos definidos como Lmetal=25nm para as seguintes espessuras: oxido de porta toxido=2nm e porta tporta=5nm. As concentracoes de dopagem do silicio sao consideradas NA=5.5x1017cm-3 para o canal e as regioes de dreno e fonte foram dopadas com ND=1x1020cm-3. Os materiais de contatos foram considerados em aluminio tanto para a porta, como para os contatos de fonte e dreno. Para a extracao de IDLEAK foi necessario obter inicialmente a curva da corrente de dreno (IDS) em funcao da tensao de porta (VGS), para todos os dispositivos estudados com a tensao de dreno/fonte VDS=100mV, para toda a faixa de temperatura avaliada. Apos uma analise criteriosa das caracteristicas IDSxVGS, estipulou-se que IDLEAK deve ser extraido para VGS =-0.5V para toda a faixa de temperatura avaliada, regiao esta denominada de regiao de fuga, pois nesta condicao de operacao IDS e praticamente constante e independente da temperatura de operacao. Alem disto, tambem foi notado que, quando o diametro ou comprimento de canal tornam-se menor, IDLEAK permanece composta principalmente por eletrons, com IDLEAK mais intenso para L menores e D maiores; e menor intensidade para D menores e L maiores. IDLEAK flui principalmente na regiao intermediaria do canal do transistor, independentemente da temperatura de operacao, bem como do comprimento e diametro do canal. O aumento observado em IDLEAK foi detectado devido ao aumento da temperatura de operacao, aumento das areas de juncao de fonte e dreno e tambem pela reducao do comprimento de canal dos dispositivos avaliados ao longo deste trabalho.