Teses e Dissertações

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Análise dos acoplamentos térmico e capacitivo de transistores FD SOI de camadas finas e memórias resistivas RERAM
(2023) Costa, Fernando José da
Transistores de camadas ultrafinas e memórias resistivas são alguns dos dispositivos na vanguarda das pesquisas. O comportamento térmico é de suma importância em um sistema eletrônico, e ainda há muitas lacunas a respeito dos efeitos térmicos em transistores de última geração, bem como sobre sua atuação em níveis de integração. Também no campo das memórias emergentes, muitas dúvidas permanecem sobre as propriedades de armazenamento de dados em sistemas compostos por memórias denominadas resistivas. Este trabalho tem como objetivo estudar o acoplamento térmico entre múltiplos transistores, assim como a caracterização elétrica de memórias resistivas por meio de simulações numéricas e medidas elétricas experimentais. O estudo demonstrou que em escalas nanométricas de integração há a ocorrência de acoplamentos térmico e capacitivo entre os transistores o que produz degradações nas principais figuras de mérito dos transistores como a tensão de limiar e a inclinação de sublimiar. Porém, a condutância de saída pode ser influenciada de maneira positiva pelo acoplamento térmico sendo modulada de valores negativos para valores positivos de acordo com a proximidade entre os dispositivos. As estruturas em cascata apresentam características elétricas e térmicas superiores a um transistor único de comprimento de canal equivalente. Os espelhos de corrente apresentam um acoplamento térmico que produz uma redução geral da corrente no dispositivo de entrada à medida que os dispositivos estão localizados próximos um do outro, de maneira que o compartilhamento da temperatura no sistema leva os dispositivos a operarem com maior precisão de espelhamento. A caracterização das memórias resistivas pelas medidas da capacitância da estrutura se mostrou promissora para a visualização dos múltiplos estados resistivos. A memória tratada de maneira a incorporar mais vacâncias de oxigênio em seu material dielétrico se mostrou como uma melhor alternativa para se obter maior distribuição de estados resistivos requeridos para o desenvolvimento de sistemas de computação em memórias multiníveis
Aplicação de transistores SOI sem junções em espelhos de corrente de diferentes arquiteturas
(2023) Shibutani, André Balbino
O transistor sem junções (JNT) é um transistor de efeito de campo com características de ultrabaixa potência, que apresenta características elétricas promissoras em comparação com os SOI MOSFETs modo inversão, além de um processo de fabricação mais simples. Na perspectiva analógica, o transistor apresenta uma baixa condutância de saída, um alto ganho de tensão de malha aberta em baixas frequências, uma inclinação de sublimiar próxima ao ideal e um baixo DIBL (Drain Induced Barrier Lowering). Complementarmente, o transistor dessa pesquisa usa a tecnologia de silício-sobre-isolante (SOI – Silicon-On-Insulator) juntamente com a tecnologia de porta tripla, ambas melhorando o acoplamento capacitivo e o controle das cargas do canal. Apesar das vantagens do JNT mencionadas sugerirem uma fácil implementação em circuitos integrados, o transistor tem uma peculiaridade que consiste na dependência da tensão de limiar com as dimensões do dispositivo e com a concentração de dopantes da região ativa. Assim, em face dessas dificuldades, o trabalho avalia a configuração do espelho de corrente de fonte comum constituído por transistores MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) sem junções de efeito de campo compostos por arranjos simétricos com diferentes concentrações de dopantes. Ademais, com o intuito de entender o comportamento como fonte de corrente, uma corrente normalizada fixa de 1µA é aplicada a entrada dos espelhos de corrente desse trabalho enquanto a corrente de saída é variada de 0 a 3V. Entre as simulações numéricas 3D realizadas, cujos transistores foram calibrados a partir de medidas experimentais, o erro de precisão de espelhamento dos espelhos de corrente simétricos indica um melhor desempenho de transistores de menores dimensões (Para ND = 5 x 1018 cm-3, Wfin = 10 nm e tensões de saída maiores que 0,4 V, o máximo erro de precisão de espelhamento é de 14,01%, 0,15% e 0,15% para os espelhos de corrente fonte comum, Wilson e Cascode, respectivamente). Por outro lado, os resultados sugerem que, para configurações assimétricas, os transistores sem junções podem apresentar precisões de espelhamento similares a MOSFETs modo inversão, dependendo da concentração de dopantes da região ativa. Adicionalmente, as configurações Cascode e Wilson também são estudadas com o enfoque de melhorar o desempenho dos espelhos de corrente de fonte comum. Com esse intuito, os níveis de condutância e transcondutância são analisados para cada configuração, uma vez que ambas as figuras de mérito, no geral, são menores que as encontradas em SOI MOSFETs modo inversão, o que resulta em resistências de pequenos sinais diferenciadas para os espelhos de corrente de configurações fonte comum, Wilson e Cascode

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