The Influence of Back Gate Bias on the OCTO SOI MOSFET?s Response to X-ray Radiation

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Tipo de produção
Artigo
Data
2015
Autores
FINO, L. N. S.
Marcilei Aparecida Guazzelli da Silveira
Christian Renaux
FLANDRE, Denis
GIMENEZ, S. P.
Orientador
Periódico
JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português)
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Citação
FINO, L. N. S.; Marcilei Aparecida Guazzelli da Silveira; Christian Renaux; FLANDRE, Denis; GIMENEZ, S. P.. The Influence of Back Gate Bias on the OCTO SOI MOSFET?s Response to X-ray Radiation. JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), v. 10, n. 1, p. 43-48, 2015.
Texto completo (DOI)
Palavras-chave
Resumo

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